요약 | 본 발명은 수동모드록킹 방식의 반도체 레이저에 관한 것으로 특히, 수배 기가 로부터 수 테라 헤르치 급에 이르는 반복률을 갖는 펄스열을 생성하기 위하여 고안된 반도체 양자우물 구조를 포함하는 반도체 레이저에 관한 것이다.본 발명은, 이득구간의 양자우물층이 위쪽(또는 아래쪽)으로부터 순서대로 상온에서의 자동방출 스펙트럼의 피크파장이 각각 -2, +, +2, , -(단, 는 발진되는 펄스 레이저의 평균 파장)이 되도록 결정된 5개의 양자우물층으로 구성되고, 상기 초격회절판(SSG) 분배브락반사경(DBR)이 5개의 샘플링 구간으로 이루어지며, 각 샘플링 구간은 (-2)/(2n), (-)/(2n), /(2n), (+)/2n, (+2)/(2n) 간격의 5종의 다른 회절 피치가 각각 25주기, 5주기, 25주기, 5주기, 25주기의 두께로 순서대로 배열된 것을 특징으로 한다. |
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Int. CL | H01S 5/065 (2006.01) |
CPC | H01S 5/0657(2013.01) H01S 5/0657(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019950054541 (1995.12.22) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-1997-0055001 (1997.07.31) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1995.12.22) |
심사청구항수 | 3 |