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반응로의 상부에 장착되며, 이온화율이 높고 플라즈마 포텐셜이 낮아 반응로로 부터의 오염물질이 적고, 웨이퍼(3)로 입사되는 이온에너지가 작아 접촉창과 비아구멍의 손상을 최소화 할 수 있는 TCP(Transformer Coupled Plasma)를 플라즈마 원으로 사용하는 플라즈마 세정 모듈과; 적외선 램프(13)와 반사효율 및 온도 균일도를 위한 반사경(12)에 의해 웨이퍼홀더 어셈블리(4)를 가열하여 간접가열방식에 의해 기판의 열처리가 가능하도록 기판가열모듈과; 반응로의 진공유지를 위한 반응로 일측의 진공배기구(17)를 포함하는 진공모듈과; 램프 어셈블리(6)와 석영판(21)사이의 위치를 가변시켜 웨이퍼 위치의 가변시켜 주는 램프 어셈블리 구동기구(9) 및 웨이퍼(3)와 적외선 램프(13) 사이의 거리 변화에 의한 온도 균일도 및 가열 속도의 조절이 가능하도록 하는 웨이퍼 반송모듈로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리를 이용한 금속배선 평탄화 장치
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제1항에 있어서, 플라즈마 세정 모듈은 금속박막을 증착한 후 표면을 플라즈마 처리하여 표면에 흡착된 불순물과 산화물을 선제거하여 흐름 공정시 확산특성을 개선시킬 수 있고 표면의 플라즈마 처리와 더불어 웨이퍼의 가열에 의한 흐름공정을 동시에 수행시킬 수 있도록 함을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리를 이용한 금속배선 평탄화 장치
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제1항에 있어서, 플라즈마 세정모듈의 플라즈마원은 ICP(Inductive Coupled Plasma)또는 RIE(Reactive Ion Etcing), MERIE(Magnetic Enhanced Reactive Ion Etcing), ECR(Electron Cyclotron Resonance)또는 Helicon 등을 사용함을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리를 이용한 금속배선 평탄화 장치
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제1항에 있어서, 웨이퍼 반송모듈은 가열판의 위치와 웨이퍼 홀더 어셈블리(4)의 위치를 상하로 가변할 수 있게 하여 웨이퍼(3)의 온도 균일도를 조절할 수 있고, 가열 및 냉각속도를 가변할 수 있도록 웨이퍼 홀더 구동기구(8)와 구동축(24) 및 벨로오즈(7)로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리를 이용한 금속배선 평탄화 장치
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제1항에 있어서, 기판가열모듈은 다수의 적외선 램프(13)가 열원으로 사용되며, 상기 적외선 램프(13)의 가열효율 증대를 위해 반사경(12)을 부착한 램프 어셈블리(6)와 적외광의 투과특성이 우수한 석영창(14)을 적외광 투과창으로 사용됨을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리를 이용한 금속배선 평탄화 장치
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