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리튬 고분자 2차전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075162
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 고분자 2차전지의 제조방법에 관한 것이다.좀 더 구체적으로, 본 발명은 고체 고분자 전해질을 이용하여 새로운 구조를 지닌 리튬 고분자 2차전지를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 리튬 고분자 2차전지 제조방법은, 전극 지지체의 양단을 제외한 부분 상에 양전극 슬러리(slurry)를 도포하고 건조 및 프레싱하여 일단의 금속망을 절개하는 공정; 전기한 공정에 의해 얻어진 전극 지지체의 타단에 존재하는 전극 지지체의 일측에 탭(tap)를 부착하고 나머지 전극 지지체 부분을 절개하여 양전극을 제조하는 공정; 전기한 공정에 의해 얻어진 전극상에 고분자 지지체와 고체 고분자 전해질로 이루어진 고분자 전해막을 부착하고 라미네이팅(Laminating)하는 공정; 및, 상기한 양전극의 제조공정과 동일한 공정을 거쳐 제조된 음전극을 상기한 공정에서 얻어진 고분자 전해막 상에 라미네이팅하여 3층의 단위셀을 제조하는 공정을 포함한다.
Int. CL H01M 10/04 (2006.01)
CPC H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01)
출원번호/일자 1019950051461 (1995.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0194616-0000 (1999.02.10)
공개번호/일자 10-1997-0054753 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장순호 대한민국 대전광역시 유성구
2 강성구 대한민국 서울특별시 광진구
3 장기호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199477-70
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199476-24
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199475-89
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199478-15
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199479-61
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0105220-11
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.09.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199480-18
8 의견서
Written Opinion		 1998.09.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199481-53
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0473706-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

전극 지지체의 양단을 제외한 부분 상에 양전극 슬러리를 도포하고 건조 및 프레싱하여 일단의 금속망을 절개하는 공정; 전기한 공정에 의해 얻어진 전극 지지체의 타단에 존재하는 전극 지지체의 일측에 탭을 부착하고 나머지 전극 지지체 부분을 절개하여 양전극을 제조하는 공정; 전기한 공정에 의해 얻어진 전극 상에 고분자 지지체와 고체 고분자 전해질로 이루어진 고분자 전해막을 부착하고 라미네이팅하는 공정; 및, 상기한 양전극의 제조공정과 동일한 공정을 거쳐 제조된 음전극을 상기한 공정에서 얻어진 고분자 전해막 상에 라미네이팅하여 3층의 단위셀을 제조하는 공정을 포함하는 리튬 고분자 2차전지의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기한 전극 지지체로는 알루미늄, 구리 또는 니켈의 확장망을 사용하는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차전지의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 탭으로는 알루미늄 포일을 사용하여 상기한 전극 지지체에 용접하여 부착하는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차전지의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기한 고분자 지지체로는 테프론계의 PTFE(poly tetra-fluoro ethylene) 고분자나 이형지를 사용하는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차전지의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 고체 고분자 전해질로는 젤형의 고체 고분자인 PVDF(poly vinylidene fluoride) 및 PVDF 중합체를 사용하는 것을 특징으로하는 리튬 고분자 2차전지의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기한 고분자 전해막의 부착시에는 45 내지 55℃로 온도를 유지하면서 롤 프레스(roll press)에서 라미네이팅을 수행하여 계면의 기포를 제거하는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차전지의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.