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경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법

  • 기술번호 : KST2015075164
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법에 관한 것으로서, 저압화학증착 방법에 의해 증착된 실리콘 기판 위의 실리콘 질화막 상부에 질화막 패턴식각용 마스킹 박막으로써 알루미늄박막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 알루미늄박막 상부에 포토레지스트 공정으로 식각패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화막의 식각시킬 소정부분의 상부의 알루미늄박막을 습식 또는 건식식각하여 제거하는 제2단계와; 경사진 질화막 식각단면을 얻기 위하여 상기 알루미늄박막을 식각 마스킹용 박막으로 하여 온도 50-70도에서 글리세린이 함유된 암모늄플루오라이드용액에 의해 질화막을 습식 식각하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후 질화막 식각용 마스킹 박막으로 사용한 잔유 알루미늄박막을 알루미늄 에칭용액으로 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지며, 암모늄 플루오라이드 용액내 글리세린 함유량과 식각 용액의 사용온도에 따라 질화막의 단면 경사각 조정과 식각율을 조정할 수 있는 공정상의 장점을 가지며, 질화막의 식각속도는 분당 수백에서 수천 옹그스트롬의 높은 식각율을 유지할 수 있고, 실리콘 기판은 거의 손상되지 않는 특성을 갖으며, 마이크로머신, 광 유도장치 등 실리콘 기판을 이용한 질화막패턴의 경사진 단면구조 구현시 매우 유용하다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/31111(2013.01) H01L 21/31111(2013.01)
출원번호/일자 1019950051463 (1995.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0160580-0000 (1998.08.19)
공개번호/일자 10-1997-0052732 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창억 대한민국 대전광역시 유성구
2 권오준 대한민국 대전광역시 유성구
3 임병무 대한민국 대전광역시 유성구
4 김보우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199491-10
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199492-55
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199490-64
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199493-01
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199494-46
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0105225-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

저압화학증착 방법에 의해 증착된 실리콘 기판 위의 실리콘 질화막 상부에 질화막 패턴식각용 마스킹 박막으로써 알루미늄박막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 알루미늄박막 상부에 포토레지스트 공정으로 식각패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화막의 식각시킬 소정부분의 상부의 알루미늄박막을 습식 또는 건식식각하여 제거하는 제2단계와; 경사진 질화막 식각단면을 얻기 위하여 상기 알루미늄박막을 식각 마스킹용 박막으로 하여 온도 50-70도에서 글리세린이 함유된 암모늄플루오라이드용액에 의해 질화막을 습식 식각하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후 질화막 식각용 마스킹 박막으로 사용한 잔유 알루미늄박막을 알루미늄 에칭용액으로 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1단계의 알루미늄박막 증착시, 식각하고자 하는 질화막 두께의 1/2 정도가 되게 증착하는 것을 특징으로 하는 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제3단계의 식각된 질화막의 단면 경사각 정도는 상기 암모늄 플루오라이드 용액에 함유되는 글리세린의 함유량과 식각용액의 사용온도에 의해 조정될 수 있는 것을 특징으로 하는 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.