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반도체기판(11) 위에 패드 산화막(12) 과 질화막(13) 을 차례로 형성한후 상기 질화막(13) 과 패드 산화막(12) 을 사진식각법으로 패터닝하여 채널형성영역의 상부가 노출되도록 제1개구부(14) 를 형성하는 공정과, 상기 개구부(14) 에 의해 노출된 반도체기판(11) 을 열산화하여 두꺼운 제1산화막(15) 을 형성하고 이를 제거하여 제2개구부(16) 를 형성하는 공정과, 상기 제2개구부(16) 를 통해 노출된 반도체기판(11) 에 제1도전형 불순물을 주입하는 공정과, 상기 노출된 반도체기판(11) 상에 게이트산화막(17) 을 형성한후 전면에 폴리실리콘(18) 을 형성하는 공정과, 상기 폴리실리콘(18) 을 소정의 두께로 식각하여 질화막(13) 의 표면상에 소정의 두께를 잔존시킨후 이를 열산화하여 제2산화막(19) 을 형성하고 이를 제거하여 제2개구부(16) 의 내부에만 폴리실리콘(18) 을 잔존시키는 공정과, 상기 폴리실리콘(18) 의 표면을 열산화하여 제3산화막(20) 을 형성하는 공정과, 상기 제3산화막(20) 을 식각마스크로 하여 질화막(13) 을 제거하는 공정과, 상기 제3산화막(20) 과 폴리실리콘(18) 을 이온 주입마스크로 이용하여 전면에 제2도전형 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 제3산화막(20) 을 식각마스크로 이용하여 제3산화막의 폭보다 측면으로 돌출된 폴리실리콘(18) 의 측면을 식각하고 제3산화막(20) 을 제거하여 게이트전극(21) 을 정의하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화막(13) 은 건식으로 식각하고 패드 산화막(12) 은 비등방 건식 식각 또는 습식식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1산화막(15) 은 습식산화하여 10 ㎚ 내지 100 ㎚ 사이의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2개구부(16) 형성을 위한 제1산화막(15) 의 식각시 전체 두께의 70 ~ 80 % 비등방 건식식각하고 나머지는 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1도전형 불순물이온 주입공정시 반도체기판(11) 의 표면이 손상되는 것을 방지하기 위하여 얇은 열 산화막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘(18) 의 돌출된 측면식각시 비등방 건식식각법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1산화막(15) 은 제1개구부(14) 의 측면 질화막(13) 부분이 충분히 들어올려질 수 있는 두께로 형성됨을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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반도체기판(11) 위에 패드 산화막(12) 과 질화막(13) 을 차례로 형성한후 상기 질화막(13) 과 패드 산화막(12) 을 사진식각법으로 패터닝하여 채널형성영역의 상부가 노출되도록 제1개구부(14) 를 형성하는 공정과, 상기 개구부(14) 에 의해 노출된 반도체기판(11) 을 열산화하여 두꺼운 제1산화막(15) 을 형성하고 제1개구부(14) 와 동일한 폭으로 일부를 제거하여 측면이 수직인 제2개구부(16a) 를 형성 하는 공정과, 상기 제2개구부(16a) 를 통해 노출된 반도체기판(11) 에 제1도전형 불순물을 주입하는 공정과, 상기 노출된 반도체기판(11) 상에 게이트산화막(17) 을 형성한후 전면에 폴리실리콘(18) 을 형성하는 공정과, 상기 폴리실리콘(18) 을 소정의 두께로 식각하여 질화막(13) 의 표면상에 소정의 두께를 잔존시킨후 이를 열산화하여 제2산화막(19) 을 형성하고 이를 제거하여 제2개구부(16a) 의 내부에만 폴리실리콘(18) 을 잔존시키는 공정과, 상기 폴리실리콘(18)의 표면을 열산화하여 제3산화막(20) 을 형성하는 공정과, 상기 제3산화막(20) 을 식각마스크로 하여 질화막(13) 을 제거하는 공정과, 상기 제3산화막(20) 과 폴리실리콘(18) 이온 주입마스크로 이용하여 전면에 제2도전형 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 제3산화막(20) 을 제거하여 게이트전극(21) 정의하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제1산화막(15) 은 비등방성 건식식각법에 의해 패터닝됨을 특징으로 하는 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법
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