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애벌란치 광 다이오드형 장파장 광검출기

  • 기술번호 : KST2015075265
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 애벌란치 광 다이오드 형 장파장 광검출기에 있어서, 그 증폭층의 InP 기판에 격자정합되고 에너지 밴드갭이 상기 InP보다 큰 In0.52Al0.48As에 의해 형성되고, 에너지 밴드갭이 작은 InGaAsP 층 또는 InGaAs 층을 바깥에 노출시킨 후 에너지 밴드갭이 상기 InGaAsP 층 또는 InGaAs 층 보다 크고 InP에 격자 정합이 되는 In0.52Al0.48As를 창문층으로 사용하며, 밴드갭이 증폭층(In0.52Al0.48As)과 흡수층(In0.53Ga0.47As)의 중간이 되는 4원계 p-In0.72Ga0.28As0.61P0.39층을 상기 증폭층과 흡수층 사이에 형성하여 상기 흡수층에 가해지는 전장의 세기를 줄임으로써, 터널링 누설전류의 발생을 방지하는 동시에 밴드갭 차이로 인해서 상기 증폭층과 흡수층의 계면에 전하가 쌓이는 현상을 방지하여 동작 속도를 증가시키며, 항복전압을 크게 할 수 있다는 특징이 있다.
Int. CL H01L 31/107 (2006.01)
CPC H01L 31/1075(2013.01) H01L 31/1075(2013.01)
출원번호/일자 1019950052696 (1995.12.20)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198423-0000 (1999.03.02)
공개번호/일자 10-1997-0054572 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남은수 대한민국 대전광역시 서구
2 박찬용 대한민국 대전광역시 유성구
3 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203958-70
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203956-89
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203957-24
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203959-15
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203960-62
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0107576-06
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.10.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0750388-30
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.10.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0750315-18
9 의견서
Written Opinion		 1998.10.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0750358-71
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0479439-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+형으로 도핑된 InP 기판과, 상기 기판위에 결정 성장 전의 결합들을 보상하기 위해 형성된 n+-InP 버퍼층과, 상기 버퍼층 위에 빛의 흡수에 의해 생성된 전자가 높은 전장에 의해 증폭되도록 하기 위해, InP와 격자정합이 이루어지고 InP 보다 밴드갭이 큰 n+-In0

2 2

제1항에 있어서, 상기 창문층은 에너지 밴드갭이 작은 InGaAsP층 또는 InGa As층을 바깥에 노출시킨 후, 에너지 밴드갭이 상기 InGaAsP 또는 InGaAs 보다 크고 InP에 격자정합이 되는 In0

3 3

제1항에 있어서, 상기 중간층은 그 밴드갭이 상기 흡수층과 증폭층의 중간이고, 상기 흡수층에 가해지는 전자의 세기를 줄여주는 동시에 상기 흡수층과 증폭층의 밴드갭 차이로 인해서 발생하는 이동전하가 이질접합에 포획되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 애벌란치 광 다이오드형 장파장 광검출기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.