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반절연성 화합물 반도체 기판과, 상기 기판위에 형성되어 입사광을 반사하는 여러주기의 다른 반도체쌍으로 된 반도체 거울층과; 상기 거울층 위에 형성되며, p형 불순물이 도핑된 제1 p형 반도체층과; 상기 제1 p형 반도체층 위에 형성되며, n형 불순물이 도핑된 제1 n형 반도체층과; 상기 제1 p형 반도체층과 상기 제1 n형 반도체층에 의한 pn접합의 내재전위에 의해 동작하도록 선택된 양자우물 주기수를 가지는 다중 양자우물구조로 된 제1중간활성층과; 상기 제1 n형 반도체층 위에 형성되며, p형 불순물이 도핑된 제2 p형 반도체층과; 상기 제2 p형 반도체층과 상기 제1 n형 반도체층 사이에 형성되며, 상기 제2 p형 반도체층과 상기 제1 n형 반도체층에 의한 pn접합의 내재전위에 의해 동작하도록 선택된 양자우물 주기수를 가지는 다중 양자우물 구조로 된 제2중간활성층과; 상기 제2 p형 반도체층 위에 형성되며, 동작파장에 대한 무반사 동작을 수행하는 무반사막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자
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제1항에 있어서, 상기한 제1중간활성층 및 제2중간활성층의 양자우물 주기수는 적층된 pn접합의 수만큼 증가시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자
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제1항에 있어서, 상기한 p형 및 n형 반도체층은 밴드갭 조절에 의해 pn접합의 내재전위를 향상시키는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자
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반절연성 화합물 반도체 기판과; 상기 기판위에 형성되어 입사광을 반사하는 여러주기의 다른 반도체쌍으로 된 반도체 거울층과; 상기 거울층 위에 형성되며, n형 불순물이 도핑된 제1 n형 반도체층과; 상기 제1 n형 반도체층 위에 형성되며, p형 불순물이 도핑된 제1 p형 반도체층과; 상기 제1 n형 반도체층과 상기 제1 p형 반도체층 사이에 형성되며, 상기 제1 p형 반도체층과 상기 제1 n형 반도체층에 의한 pn접합의 내재전위에 의해 동작하도록 선택된 양자우물 주기수를 가지는 다중 양자우물구조로 된 제1중간활성층과; 상기 제1 p형 반도체층 위에 형성되며, n형 불순물이 도핑된 제2 n형 반도체층과; 상기 제2 n형 반도체층과 상기 제1 p형 반도체층 사이에 형성되며, 상기 제2 n형 반도체층과 상기 제1 p형 반도체층에 의한 pn접합의 내재전위에 의해 동작하도록 선택된 양자우물 주기수를 가지는 다중 양자우물 구조로 된 제2중간활성층과; 상기 제2 n형 반도체층 위에 형성되며, 동작파장에 대한 무반사 동작을 수행하는 무반사막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자
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제4항에 있어서, 상기한 제1중간활성층 및 제2중간활성층의 양자우물 주기수는 적층된 pn접합의 수만큼 증가시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자
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제4항에 있어서, 상기한 p형 및 n형 반도체층은 밴드갭 조절에 의해 pn접합의 내재전위를 향상시키는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자
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