InP 화합물 반도체기판 상에 유전막과 감광막을 순차적으로 형성하고 상기 감광막을 광 홀로그래피 방법으로 노광하고 현상한 후, 패터닝하여 상기 유전막을 노출시키는 제1공정과, 상기 제1공정에서 패턴된 감광막을 마스크로 이용하여 반응성 이온 식각 방법에 의해 상기 유전막의 노출된 부분을 제거하여 반도체기판을 노출시키는 제2공정과, 상기 마스크로 사용된 감광막을 제거하고, 상기 감광막 밑에 식각되지 않고, 남아있는 유전막을 마스크로 이용하여 반응성 이온 식각 방법에 의해 상기 제2공정에서 노출된 반도체기판을 이방성 식각하여 회절 격자를 형성하는 제3공정과, 상기 마스크로 사용된 유전막을 제거하는 제4공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 회절 격자의 형성 방법

제1항에 있어서, 상기 유전막은 산화막 또는 질화막으로 형성하며, 상기 제3공정에서 마스크로 사용될 때, 식각에 잘 견디며 미세 패턴 형성을 용이하게 하기 위해, 그 두께를 300~500Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 회절 격자의 형성 방법

제1항에 있어서, 상기 감광막은 상기 제2공정에서 마스크로 사용될 때, 식각에 잘 견디고, 미세 패턴 형성을 용이하게 하기 위해 그 두께를 300~500Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 회절 격자의 형성방법

제1항에 있어서, 상기 제2공정에서 유전막 제거할 때 반응성 이온 식각 장치의 RF 파워를 0

제1항에 있어서, 상기 제3공정은 반도체기판을 CH4/H2로 식각하며, 상기 유전막과 반도체기판의 식각 선택비를 1:10 이상이 되도록 하여, 소자 제작시 식각되지 않고 남아 있는 유전막의 두께와 반도체기판의 식각 깊이가 1:10 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 회절 격자의 형성방법