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기판 상에 산화막을 도포하고 상기 기판이 노출되도록 상기 산화막의 소정 부분을 제거하여 접촉 홀을 형성하는 공정과, 상기 산화막의 상부와 접촉 홀의 내부에 상기 기판과 전기적으로 연결되도록 장벽 금속층과 젖음층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 젖음층의 상부에 도전성 금속층을 형성하는 공정과, 상기 도전성 금속층의 표면에 흡착 및 산화에 의해 표면 금속 원자의 이동 특성을 저하시키는 불순물과 산화물을 플라즈마로 세정 식각하여 제거하는 공정과, 상기 세정 식각을 수행한 반응 로에서 상대적으로 낮은 온도로 상기 도전성 금속층을 리플로우 시켜 접촉 홀을 매립하는 공정을 포함하는 접촉 홀 매립방법
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제1항에 있어서, 상기 기판이 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 확산영역이 형성된 제1도전형의 반도체기판 또는 도선인 접촉 홀 매립방법
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제1항에 있어서, 상기 장벽 금속층을 TiN, TiW, Al-Si-Cu, TiSi2 또는 WSi2 중 어느 하나를 스퍼터링방법으로 500~1500Å 정도 두께로 증착하여 형성하는 접촉 홀 매립방법
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제1항에 있어서, 상기 젖음층을 Al, Cu, W, Ti, Ta 또는 Mo 등중 어느 하나를 스퍼터링방법으로 200~700Å 정도의 두께로 증착하여 형성하는 접촉 홀 매립방법
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제1항에 있어서, 상기 도전성 금속층을 Al, Cu, W, Ti, Ta 또는 Mo 중 어느 하나를 화학기상증착방법으로 1500~3000Å 정도의 두께로 증착하여 형성하는 접촉 홀 매립방법
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제1항에 있어서, 상기 도전성 금속층의 표면을 플라즈마 모듈이 설치된 리플로우 반응 로를 수 토르(torr) 정도의 압력이 되도록한 후 플라즈마를 생성시켜 세정 식각하는 접촉 홀 매립방법
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제6항에 있어서, 상기 세정 식각시 반응가스로 아르곤 또는 헬륨을 포함하는 불활성가스를 사용하는 접촉 홀 매립방법
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제6항에 있어서, 상기 세정 식각시 반응가스로 아르곤 또는 헬륨을 포함하는 불활성가스와 Cl2, SiCl4, BCl3 또는 CHF3을 포함하는 산화물 제거용 가스가 혼합된 가스를 사용하는 접촉 홀 매립방법
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제7항 또는 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 금속층의 표면을 30~100Å 정도 세정 식각하는 접촉 홀 매립방법
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10
제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 생성하는 플라즈마원으로 TCP(Transformer Coupled Plasma), ICP(Inductive Coupled Plasma), RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetic Enhanced Reactive Ion Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance), Helicon 또는 MORI 중에서 선택되어지는 어느 하나를 사용하는 접촉 홀 매립방법
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제1항에 있어서, 상기 도전성 금속층을 300~500℃ 정도의 온도로 리플로우 하는 접촉 홀 매립방법
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제11항에 있어서, 상기 도전성 금속층을 상기 표면을 세정 식각하는 플라즈마 상태에서 리플로우하는 접촉 홀 매립방법
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