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비선형 광학 고분자를 이용한 전기적 횡파 모드편광장치및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015075570
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극회사 전기적 횡파(TE) 모드 굴절율은 감소하고 자기적 횡파(TM) 모드 굴절율은 증가하는 비선형 광학 고분자를 클래딩으로 사용하며, 상기 클래딩으로 감싸지는 코아는 극화시 전기적 횡파(TE) 모드 및 자기적 횡파(TM) 모드의 굴절율은 변화가 없는 순수고분자로 사용하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치에 관한 것으로, 값싼 고분자를 사용함으로써 제조 단가를 현저히 감소시키며, 순수 고분자를 코아로 사용함으로써 고분자 광소자의 단점인 광전송 손실(Light Propagation Loss)을 현저히 감소시키는 효과가 있다.
Int. CL G02B 5/30 (2006.01)
CPC G02F 1/0136(2013.01)G02F 1/0136(2013.01)G02F 1/0136(2013.01)G02F 1/0136(2013.01)G02F 1/0136(2013.01)
출원번호/일자 1019960007899 (1996.03.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0175743-0000 (1998.11.11)
공개번호/일자 10-1997-0066617 (1997.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (19990515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.03.22)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이형종 대한민국 대전광역시 유성구
3 한선규 대한민국 대전광역시 서구
4 원용협 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1996-0035429-22
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1996-0035430-79
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1996-0035431-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1996-0035432-60
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1997.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0035433-16
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0433219-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

빛을 전파하는 코아 및 상기 코아 주위를 둘러싸고 있는 굴절율을 구비하여 특정 모드의 파를 선택하여 도파하도록 하는 편광 장치에 있어서, 상기 클래딩으로 비선형 광학 고분자 재료를 사용하고, 상기 코아로 순수 고분자 재료를 사용한 것을 재료로 한 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 클래딩으로 사용된 비선형 광학 고분자 재료는 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)를 주사슬로 비선형 분자 DANS(4-dimethylamino-4'-nitro-stibene)가 옆사슬 DANS와 메틸메타아크릴레이트(MMS)가 소정 비율로 중합된 것임을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 코아로 사용된 고분자 재료는 폴리이미드(Polymide)임을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치

4 4

극화시 전기적 횡파(TE) 모드 굴절율은 감소하고 자기적 횡파(TE) 모드 굴절율은 증가하는 비선형 광학 고분자를 클래딩으로 사용한 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치

5 5

제4항에 있어서, 상기 클래딩으로 감싸지는 코아는 극화시 전기적 횡파(TE) 모드 및 자기적 횡파(TM) 모드의 굴절율은 변화가 없는 순수고분자 재료임을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치

6 6

반도체 기판 상에 하부전극용 제1금속층을 형성하는 단계; 상기 금속막 상에 하부클래딩용 제1비선형 광학 고분자층을 형성하는 단계; 상기 비선형 공학 고분자층을 소정 깊이로 선택 식각하는 단계; 상기 제1비선형 광학 고분자층 상에 코어용 순수 고분자층을 형성하는 단계; 상기 순수 고분자층 상에 상부 클래닝용 제2비선형 광학 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 제2비선형 광학 고분자층 상에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 제1금속층 및 제2금속층은 금(Gold, Au) 박막인 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

8 8

제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2비선형 광학 고분자는 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)를 주사슬로 비선형 분자 DANS(4-dimethylamino-4'-nitro-stibene)가 옆사슬 DANS와 메틸메타아크릴레이트(MMS)가 소정 비율로 중합된 층임을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

9 9

제8항에 있어서, 제1 및 제2비선형 광학 고분자층은 사이클로헥사논(Cyclohexanone)용매에 소정 비율로 용해된 비선형 광학 고분자를 코팅하고, 열경화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

10 10

제9항에 있어서, 상기 제1, 및 제2비선형 광학 고분자의 용해도는 20 wt%임을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

11 11

제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2비선형 광학 고분자의 코팅은 1k/30sec 내지 1

12 12

제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 비선형 광학 고분자층의 열경화하는 160℃의 질소 분위기의 오븐에서 2시간동안 이루어짐을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

13 13

제6항에 있어서, 상기 코아용 순수 고분자는 폴리이미드임을 특징으로 하는 전기적 횡화(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

14 14

제13항에 있어서, 상기 순수 고분자층은 폴리이미드를 코팅하고, 열경화하여 형성함을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

15 15

제14항에 있어서, 상기 폴리이미드의 코팅은 2k/30sec로 스핀 코팅으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

16 16

제15항에 있어서, 상기 폴리이미드층의 열경화는 160℃의 질소 분위기의 오븐에서 12시간동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기적 횡파(TE) 모드 편광 장치 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.