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(100)면의 반도체 기판 상부에 유전체 마스크를 도포한 후 (011) 방향과 평행하게 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴 사이의 선택된 영역을 화학 식각하여 (
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제1항에 있어서, 상기 유전체 마스크 패턴은 CVD공정 및 리소그라피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자 세선 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 완충층은 CVD, MOCVD 및 CBE 중 어느 한 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 고밀도 양자 세선 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 완충층은 GaAs, InP, Si, InAs, GaAb, 사파이어, SiC 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자 세선 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 장벽층은 CVD, MOCVD 및 CBE 공정 중 어느 한 공정에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자 세선 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 우물층은 1 내지 10
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제1항에 있어서, 상기 우물층의 재료는 삼원화합물 내지는 사원화합물 반도체 재료로 InGaAs, AlGaAs, InGaP, InGaAsP, AlGaAsP중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자 세선 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 우물층의 재료는 이원화합물 내지는 단일 반도체 재료로 GaAs,InP, InAs, Ge중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자 세선 제조 방법
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