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고분자-고분자 블렌드를 이용한 발광 다이오드, 그의 제조방법 및 발광 다이오드의 발광효율 향상방법

  • 기술번호 : KST2015075733
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공액 길이가 조절되지 않아 긴 다공액화(polyconjugation)된 발광 고분자와 일정 공액화 길이를 지닌 발광 고분자를 일정 비율로 혼합(블렌드)하여 발광층으로 사용한 우수한 발광효율을 지닌 발광 다이오드, 그의 제조방법 및 발광 다이오드의 발광효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광 다이오드의 발광효율 향상방법은, 다공액화된 발광 고분자와 일정한 공액화 길이를 지닌 발광 고분자 2종 이상을 일정 비율로 혼합(블렌드)하여 발광 다이오드의 발광층으로 사용하는 과정을 포함하고, 본 발명의 발광 다이오드, 기판과, 기판 상에 위치한 양극파, 양극 상에 위치한 발광층과, 발광층 상에 위치한 음극으로 구성된 발광 다이오드에 있어서, 다공액화된 발광 고분자와 일정한 공액화 길이를 지닌 발광 고분자 2종 이상을 블렌드하여 제조된 고분자-고분자 블렌드를 발광 다이오드의 발광층으로 사용한 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법은, 상기한 양극 상에 다공액화된 발광 고분자와 일정한 공액화 길이를 지닌 발광 고분자 2종 이상을 블렌드하여 제조된 고분자-고분자 블렌드로 이루어진 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01)
출원번호/일자 1019960053261 (1996.11.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0226425-0000 (1999.07.27)
공개번호/일자 10-1998-0035036 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (19991015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정태형 대한민국 대전광역시 유성구
2 심홍구 대한민국 대전광역시 유성구
3 강인남 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0181093-10
2 출원심사청구서
Request for Examination
1996.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0181094-66
3 특허출원서
Patent Application
1996.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0181092-75
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1996-0181095-12
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0181096-57
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1999.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5108092-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0091412-10
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5178443-79
9 의견서
Written Opinion
1999.05.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5178438-40
10 등록사정서
Decision to grant
1999.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0165102-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

공액 길이가 조절되지 않아 긴 다공액화된 발광 고분자와 일정한 공액 길이를 지닌 발광 고분자 2종 이상을 일정 비율로 혼합(블렌드)하여 발광 다이오드의 발광층으로 사용하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 발광효율 향상방법

2 2

기판과, 기판 상에 위치한 양극과, 양극 상에 위치한 발광층과, 발광층 사이에 위치한 음극으로 구성된 발광 다이오드에 있어서, 공액 길이가 조절되지 않아 긴 다공액화된 발광 고분자와 일정한 공액 길이를 지닌 발광 고분자 2종 이상을 일정 비율로 혼합(블렌드)하여 제조된 고분자-고분자 블렌드를 상기한 발광 다이오드의 발광층으로 사용한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드

3 3

제2항에 있어서, 상기한 양극으로는 높은 일함수를 갖는 물질을 사용하며, 상기한 음극으로는 상대적으로 낮은 일함수를 갖는 일정한 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드

4 4

제3항에 있어서, 상기한 양극으로는 금, 백금 및 ITO으로부터 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드

5 5

제3항에 있어서, 상기한 음극으로는 알루미늄, 마그네슘 및 칼슘으로부터 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드

6 6

기판과, 기판 상에 위치한 양극과, 양극 상에 위치한 발광층과, 발광층 상에 위치한 음극으로 구성된 발광 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기한 양극 상에, 공액 길이가 조절되지 않아 긴 다공액화된 발광 고분자와 일정한 공액화 길이를 지닌 발광 고분자 2종 이상을 일정 비율로 혼합(블렌드)하여 제조된 고분자-고분자 블렌드로 이루어진 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기한 박막 형성방법으로는, 스핀코팅 또는 진공증착법을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.