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이종접합 반도체 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075817
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드 박막을 사용한 이종접합 반도체 기판 및 제조방법에 관한 것으로, 다이아몬드박막이 반도체기판위에 있는 구조나, 추가적으로 다이아몬드박막위에 반도체박막이 있는 구조거나, 더 나아가 능동소자영역이 다이아몬드박막으로 격리되고 필드영역이 다이아몬드로 되어 있는 형태의 기판 구조를 갖는 이종접합 반도체 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/30 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019960065728 (1996.12.14)
출원인 한국전자통신연구원, 기륭전자 주식회사, 삼진컴퓨터 주식회사
등록번호/일자 10-0237172-0000 (1999.10.06)
공개번호/일자 10-1998-0047252 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.14)
심사청구항수 39

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 기륭전자 주식회사 대한민국 서울특별시 금천구
3 삼진컴퓨터 주식회사 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구
2 이수민 대한민국 대전광역시 서구
3 조덕호 대한민국 대전광역시 유성구
4 한태현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)
3 조혁근 대한민국 서울특별시 중구 을지로 ***(을지로*가) ***호(애플아이피펌)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼진컴퓨터 주식회사 대한민국 서울특별시 광진구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0218770-79
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0218769-22
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0218768-87
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0218771-14
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0244883-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체기판위에 평탄화용 완충박막, 다이아몬드박막 및 반도체박막이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

2 2

제1항에 있어서, 상기 반도체기판 및 상기 반도체박막은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

3 3

제1항에 있어서, 상기 완충박은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

4 4

반도체기판위에 평탄화용 완충박막이 형성되고, 상기 완충박막 위에 다이아몬드박막이 움푹 패인 형태로 형성되며, 상기 다이아몬드박막 위에 움푹 패인영역이 반도체박막으로 채워져 반도체 능동소자영역이 형성되고, 상기 반도체 능동소자영역이 상기 다이아몬드박막상에 의해 둘러싸여 소자영역이 격리되고, 필드에는 상기 다이아몬드박막이 노출되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

5 5

제4항에 있어서, 상기 반도체기판 및 상기 반도체박막은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나중 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

6 6

제4항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체기판,
7 7

반도체기판위에 평탄화용 완충박막이 형성되고, 상기 완충박막 위에 다이아몬드박막이 움푹 패인 형태로 형성되며, 움푹 패인 영역을 갖는 상기 다이아몬드박막 위에 절연막이 형성되고, 움푹 패인영역이 반도체박막으로 채워져 반도체 능동소자영역이 형성되고, 상기 반도체 능동소자영역이 상기 다이아몬드박막 및 상기 절연막에 의해 둘러싸여 소자영역이 격리되고, 필드에는 상기 다이아몬드박막위의 상기 절연막이 노출되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

8 8

제7항에 있어서, 상기 반도체기판 및 반도체박막은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체기판

9 9

제7항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

10 10

제7항에 있어서, 상기 절연막은 산화물 및 질화물중 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판

11 11

이종접합 반도체기판 제조방법에 있어서, 제1반도체기판위에 다이아몬드박막 및 평탄화용 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막의 표면을 평탄화시키는 단계; 상기 완충박막에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 및 상기 제1반도체 기판을 제거하여 평탄한 상기 다이아몬드박막의 표면이 노출되게 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

12 12

제11항에 있어서, 상기 제1반도체기판 및 상기 제2반도체기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

13 13

제11항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

14 14

이종접합 반도체기판 제조방법에 있어서, 제1반도체기판 다이아몬드박막 및 평탄화용 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막의 표면을 형성하는 단계; 상기 완충박막에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 및 상기 제1반도체 기판을 연마하여 반도체박막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

15 15

제14항에 있어서, 상기 제1반도체기판 및 상기 제2반도체기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

16 16

제14항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어나 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

17 17

이종접합 반도체기판 제조방법에 있어서, 제1반도체기판위에 실리콘게르마늄박막, 반도체박막, 다이아몬드박막 및 평탄화용 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막을 평탄화시키는 단계; 상기 완충박막에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 상기 제1반도체기판을 제거시키는 단계; 및 상기 실리콘게르마늄박막을 제거하여 상기 반도체박막을 노출시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

18 18

제17항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 연마 및 습식식각을 순차적으로 실시하여 제거되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

19 19

제17항에 있어서, 상기 실리콘게르나늄박막을 습식식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

20 20

제17항에 있어서, 상기 제1반도체기판 및 상기 제2반도체기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

21 21

제17항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

22 22

이종접합 반도체기판 제조방법에 있어서, 소자영역을 정의한느 마스크를 사용한 식각공정으로 소자영역의 제1반도체기판을 일정깊이 식각하여 상기 소자영역부분이 돌출되게 하는 단계; 돌출구조를 갖는 상기 제1반도체기판위에 절연막, 다이아몬드박막 및 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막을 평탄화시키는 단계; 상기 완충박막에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 및 소자영역부분에 상기 제1반도체기판의 돌출부분이 남아있도록 상기 제1반도체기판을 상기 절연막의 표면이 노출될때까지 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

23 23

제22항에 있어서, 상기 제1반도체기판 및 상기 제2반도체기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

24 24

제22항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

25 25

제22항에 있어서, 상기 절연막은 산화물 및 질화물중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

26 26

이종접합 반도체기판 제조방법에 있어서, 소자영역을 정의하는 마스크를 사용한 식각공정으로 소자영역외의 제1반도체기판을 일정깊이 식각하여 상기 소자영역부분이 돌출되게 하는 단계; 돌출구조를 갖는 상기 제1반도체기판위에 다이아몬드박막 및 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막을 평탄화시키는 단계; 상기 완충박막에상기 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 및 소자영역부분에 상기 제1반도체기판의 돌출부분이 남아있도록 상기 제1반도체기판을 상기 다이아몬드박막의 표면이 노출될때까지 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

27 27

제26항에 있어서, 상기 제1반도체기판 및 상기 제2반도체기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

28 28

제26항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

29 29

이종접합 반도에기판 제조방법에 있어서, 제1반도체기판에 실리콘게라마늄박막, 반도체박막을 순차적으로 형성하는 단계; 소자영역을 정의하는 마스크를 사용한 식각공정으로 소장영역외의 상기 반도체박막을 일정깊이 식각하여 상기 소자영역부분이 돌출되게 하는 단계; 돌출구조를 갖는 상기 반도체박막에 절연막, 다이아몬드박막 및 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막을 평탄화시키는 단계; 상기 완충박막을 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 및 상기 제1반도체기판을 제거하는 단계; 상기 실리콘게리므늄박막을 제거하여 상기 반도체박막을 노출시키는 단계; 및 소자영역부분에 상기 반도체박막의 돌출부분이 남아있도록 상기 반도체박막을 상기 절연막의 표면이 노출될 때까지 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

30 30

제29항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 연마 및 습식식각을 순차적으로 실시하여 제거되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

31 31

제29항에 있어서, 상기 실리콘게르마늄박막은 습식식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

32 32

제29항에 있어서, 상기 제1반도체기판, 상기 제2반도체기판 및 상기 반도체박막은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

33 33

제29항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

34 34

제29항에 있어서, 상기 절연막은 산화물 및 질화물중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

35 35

이종접합 반도체기판 제조방법에 있어서, 제1반도체기판에 실리콘게르마늄박막, 반도체박막을 순차적으로 형성하는 단계; 소자영역을 정의하는 마스크를 사용한 식각공정으로 소자영역외의 상기 반도체박막을 일정깊이 식각하여 상기 소자영역부분이 돌출되게 하는 단계; 돌출구조를 갖는 상기 반도체박막위에 다이아몬드박막 및 완충박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 완충박막을 평탄화시키는 단계; 상기 제1반도체기판을 제거하는 단계; 상기 실리콘게르마늄박막을 제거하여 상기 반도체박막을 노출시키는 단계; 소자영역부분에 상기 반도체박막이 돌출부분이 남아있도록 상기 반도체박막을 상기 다이아몬드박막의 표면이 노출될 때까지 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

36 36

제35항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 연마 및 습식식각을 순차적으로 실시하여 제거되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

37 37

제35항에 있어서, 상기 실리콘게르마늄박막을 습식식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

38 38

제35항에 있어서, 상기 제1반도체기판, 상기 제2반도체기판 및 상기 반도체박막은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

39 39

제35항에 있어서, 상기 완충박막은 다결정실리콘, 실리콘산화막, 붕소인실리카글래스(BPSG), 붕소실리카글래스(BSG) 및 인실리카글래스(PSG)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 반도체기판 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.