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고해상도 마스크 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075868
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고해상도 마스크 제조방법에 관한 것으로서 종래의 부가적 방법과 삭감적 방법에 의한 마스크 제조방법이 패턴 형성시 여러 가지 단점으로 인해 미세선폭의 정의가 어려웠던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 이 방법들을 통합하여 부가적 방법에 의해 제2흡수체층의 패턴을 먼저 부가적 방법으로 형성한 후, 이 제2흡수체층을 건식식각 마스크로 사용하여 제1흡수체층의 패턴을 건식식각하는 고해상도 마스크 제조방법을 제공한다.이와같은 본 발명은 전자빔 셀 투사형 마스크 또는 이온빔 마스크를 제조하는데 이용할 수가 있다.
Int. CL G03F 1/70 (2006.01) G03F 1/80 (2006.01) G03F 7/26 (2006.01) G03F 1/68 (2006.01)
CPC G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1019960015619 (1996.05.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0076059 (1997.12.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영진 대한민국 대전광역시 유성구
2 최상수 대한민국 대전광역시 유성구
3 김보우 대한민국 대전광역시 유성구
4 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0061707-75
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0061708-10
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0061709-66
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0061710-13
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1996-0061711-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0024377-82
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0447155-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 웨이퍼의 상면과 후면에 멤브레인 박막을 증착하고, 상기 상면 멤브레인 박막 위에 제1흡수체층을 형성하고, 이 위에 전자빔 리소그래피에 의해 패터닝된 소정 패턴의 전자빔 레지스트를 형성하는 제1공정과, 상기 소정 패턴의 전자빔 레지스트에 제2흡수체층을 형성한 후, 전자빔 레지스트를 제거하는 제2공정과, 상기 제2흡수체층 패턴을 건식식각 마스크로 하여 상기 제1흡수체층을 반응성 이온 식각에 의해 식각하여 소정 패턴의 제1흡수체층을 형성하는 제3공정과, 상기 실리콘 웨이퍼 후면에 형성된 멤브레인 박막의 소정 부분을 건식식각하고, 노출된 실리콘 웨이퍼를 습식식각한 후 소정 부분이 식각된 후면 멤브레인 박막의 하부면에 지지대를 접착하는 제4공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고해상도 마스크 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1흡수체층은 제1흡수체층의 패턴 식각시 최대의 건식식각 선택비를 확보하기 위해 상기 제2흡수체층에 비해 상대적으로 건식식각이 용이한 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 고해상도 마스크 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 흡수체층은 각 흡수체층의 두께 및 재질, 형성방법을 달리하여 두 층 이상으로 형성하되, 흡수체층간의 두께 조절비를 임의로 조절하는 것을 특징으로 하는 고해상도 마스크 제조방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.