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다층 게이트 제조 방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1 및 제2 활성층을 차례로 성장시킨 후 오믹 금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제2활성층의 일부영역을 노출시키면서 상기 제2 활성층상에 절연막 패턴을 형성하는 제2 단계; 전체 구조 상부에 제1 감광막패턴과 제2 감광막패턴을 차례로 형성하는 제3단계; 상기 제1 및 제2 감광막패턴을 차례로 현상하되, 상기 제1 감광막패턴은 상기 제2 활성층 및 상기 절연막 패턴의 일부영역을 노출시키고 상기 제2 감광막패턴은 노출된 상기 제2 활성층 및 상기 제1 감광막패턴의 일부영역을 노출시키도록 형성하는 제4단계; 상기 제1 감광막 패턴을 식각 마스크로하여 노출된 상기 제2 활성층 및 절연막의 일부를 선택적으로 식각하는 제5단계; 전체 구조 상부에 게이트 금속층을 도포하고 상기 제1 및 제2 감광막패턴을 제거함으로써 상기 게이트 금속층은 리프트 오프되어 상기 제1 및 제2 활성층과 각각 접속되는 제1 및 제2 게이트를 형성하는 제6단계; 및 상기 절연막을 제거하고 전체 구조 표면에 절연막을 증착하는 제7단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 게이트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 오믹 금속층은 AuGe/Ni/Au 인 것을 특징으로 하는 다층 게이트의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 감광막패턴은, 전자빔용 미세 패턴 형성방법에 의해 동시에 형성되어지는 것을 특징으로 하는 다층 게이트 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 제1 감광막패턴은 PMMA(Polymrthyl Metacrylate)인 것을 특징으로 하는 다층 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 감광막패턴은 P(MMA-MAA)인 것을 특징으로 하는다층 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제6단계에서 상기 게이트 금속층은 아세톤으로 리프트 오프되는 것을 특징으로 하는 다층 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 활성층 제거제는 불산인 것을 특징으로 하는 다층 게이트 제조방법
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