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O-크레졸노블락레진을첨가한레지스트자체현상에의한에치백공정

  • 기술번호 : KST2015075983
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HEMT 등 고속 소자에 사용되는 T형 게이트 형성에 관한 것으로, 기판 상에 더미 레지스트를 도포하는 단계; 상기 더미 레지스트를 현상하여, T-형 게이트가 형성될 영역에 고립된 더미 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 고립된 더미 레지스트 패턴 및 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계; 상기 실리콘 산화막의 상부에 형상 반전 레지스트를 도포하는 단계; 및 현상 공정에 의해 상기 형상 반전 레지스트의 자체 현상 및 상기 실리콘 산화막의 에치백 및 상기 고립된 더미 레지스트 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 29/42376(2013.01) H01L 29/42376(2013.01) H01L 29/42376(2013.01)
출원번호/일자 1019960069819 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243650-0000 (1999.11.17)
공개번호/일자 10-1998-0050971 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231280-69
2 출원심사청구서
Request for Examination
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231282-50
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231281-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.15 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231283-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0244901-79
6 의견서
Written Opinion
1999.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1999-5337120-78
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.09.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5337121-13
8 등록사정서
Decision to grant
1999.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0324529-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 고속 소자의 T-형 게이트를 형성하는 방법에 있어서, 기판 상에 더미 레지스트를 도포하는 단계; 상기 더미 레지스트를 현상하여, T-형 게이트가 형성될 영역에 고립된 더미 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 고립된 더미 레지스트 패턴 및 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계; 상기 산화막의 상부에 형상 반전 레지스트를 도포하는 단계; 및 현상 공정에 의해 상기 형상 반전 레지스트의 자체 현상 및 상기 실리콘 산화막의 에치백 및 상기 고립된 더미 레지스트 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 T-형 게이트 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 형상 반전 레지스트는 O-크레졸 노블락 레진을 첨가한 형상 반전 레지스트인 것을 것을 특징으로 하는 T-형 게이트 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.