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격자도움수직결합형파장가변광필터

  • 기술번호 : KST2015076034
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 격자의 방향을 도파로의 방향과 어긋나게 하여 두 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브를 제어하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터에 관한 것으로서, n-형 InGaAsP 격자층을 n-형 InGaAsP 격자가 상기 두 도파로 사이에 동일 평면상으로 삽입되어 두 도파로의 진행방향과 수° 이상의 각도로 어긋나게 되어 있고, 상기 도파로의 중간부분에서 교차하도록 배열함으로써, 광결합효율을 공간적으로 제어할 수 있음에 따른 사이드로브 특성을 향상시킬 수 있으므로 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL G02B 5/20 (2006.01) G02B 6/00 (2006.01)
CPC G02B 6/12002(2013.01) G02B 6/12002(2013.01) G02B 6/12002(2013.01) G02B 6/12002(2013.01)
출원번호/일자 1019970041044 (1997.08.26)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0276075-0000 (2000.09.26)
공개번호/일자 10-1999-0017960 (1999.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬용 대한민국 대전광역시 유성구
2 김덕봉 대한민국 부산광역시 동구
3 오광룡 대한민국 대전광역시 유성구
4 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0130876-14
2 출원심사청구서
Request for Examination
1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0130877-59
3 특허출원서
Patent Application
1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0130875-68
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0030096-48
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5116287-48
8 의견서
Written Opinion
2000.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-5116283-66
9 등록사정서
Decision to grant
2000.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0167202-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n-형 InP 기판 (11)과, 상기 n-형 InP 기판 (11)위에 두께 0

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 도파로 전체의 길이를 L, 제 1도파로(31)의 너비를 W1, 제 2도파로(33)의 너비를 W2, 격자(32)의 너비를 Wg, 광필터의 끝단에서 도파로 중심과 격자층의 중심 사이의 거리를 W3라 할때 W1 = 1∼3 ㎛, W2 = 1∼5 ㎛, Wg = 1∼5 ㎛ 정도의 값을 가지고 Q=W3/Wg로 정의된 어긋남 정도 Q가 0

3 3

제 1 항에 있어서,

전류주입 또는 전계효과에 의한 결합광의 파장변화가 가능하도록 상기 광필터의 상면에 p-형 전극이, 상기 광필터의 하면에 n-형 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 n-형 InGaAsP 격자층(13) 주기는,

TE 편광에 대응되는 격자주기와 TM-편광에 대응되는 격자주기를 이중으로 동시에 형성하여 편광에 독립적이도록 구성된 것을 특징으로 하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.