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복합 기능 광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076036
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야광소자 및 그 제조 방법2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제기존의 광소자는 발광 또는 수광의 단일 기능을 가지는 개별 소자로 제조됨으로써 한 개의 소자가 하나의 기능만을 수행할 뿐 동시에 여러 기능을 함께 수행하는 것이 불가능하여 단일 기능을 가지는 기존의 광소자 여러 개로 이루어지는 광통신 단말기는 구성이 복잡하고 가격이 높은 단점이 있다.3. 발명의 해결 방법의 요지광 신호 송신, 수신 및 검출 기능을 수행하는 개별 레이저 다이오드, 포토다이오드 및 광출력 검출을 위한 모니터 포토다이오드 광소자가 하나의 소자 내에 구성되어 광통신 단말기를 이루는 복합 기능 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.4. 발명의 중요한 용도광소자 및 그 제조 방법에 이용됨레이저 다이오드, 포토다이오드, 모니터 포토다이오드, 복합 기능 광소자
Int. CL H01L 31/12 (2006.01)
CPC H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01)
출원번호/일자 1019970015138 (1997.04.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0243659-0000 (1999.11.17)
공개번호/일자 10-1998-0077858 (1998.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.04.23)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
3 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0049183-03
2 특허출원서
Patent Application		 1997.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0049182-57
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0049184-48
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0236650-71
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5308378-60
7 의견서
Written Opinion		 1999.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5308377-14
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0295395-49
9 FD제출서
FD Submission		 1999.11.17 수리 (Accepted) 2-1-1999-5194140-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 하부 클래드층 및 하부 광도파로층, 활성층 그리고 상부 광도파로층 및 상부 클래드층을 구비하는 광소자에 있어서,

수광영역의 제1 활성층, 상기 제1 활성층 보다 밴드 갭 에너지가 작은 발광영역의 제2 활성층 및 상기 제2 활성층 보다 밴드 갭 에너지가 작은 광출력 검출 영역의 제3 활성층이 직렬을 이루는 공진기;

상기 상부 글래드층 및 상부 광도파로층을 통과하며, 상기 제1 활성층, 상기 제2 활성층 및 상기 제3 활성층을 각각 전기적으로 절연시키는 절연 영역; 및

상기 제1 활성층, 제2 활성층 및 제3 활성층에 각각 독립적으로 대응하는 전극을 구비하는 복합 기능 광소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제1 활성층, 제2 활성층 및 제3 활성층의 밴드갭 에너지는 각각 0

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 발광영역, 상기 광출력 검출 영역, 상기 수광영역의 순으로 그 길이가 짧아지는 것을 특징으로 하는 복합기능 광소자

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 복합 기능 광소자는,

상기 수광영역에 역방향 전압이 인가되어 이루어진 포토다이오드;

상기 광출력 검출 영역에 역방향 전압이 인가되어 이루어진 모니터 포토다이오드; 및

상기 발광 영역에 순방향 전압이 인가되어 이루어진 레이저 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 상부 광도파로층 위 또는 상기 하부 광도파로층 아래에 회절 격자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 복합 기능 광소자는 상기 수광영역에 광섬유가 부착된 형태의 모듈로 패키징된 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 공진기 내에 상기 발광영역의 제2 활성층보다 밴드 갭 에너지가 크고 상기 수광영역의 제1 활성층보다 밴드 갭 에너지가 작은 광변조 영역의 활성층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자

8 8

반도체 기판 상에 하부 클래드층 및 하부 광도파로층, 활성층 그리고 상부 광도파로층 및 상부 클래드층을 구비하는 광소자에 있어서,

제1 활성영역, 상기 제1 활성층 보다 밴드 갭 에너지가 작은 제2 활성영역이 직렬을 이루는 공진기;

상기 상부 글래드층 및 상부 광도파로층을 통과하며, 상기 제1 활성영역과 상기 제2 활성영역을 전기적으로 절연시키는 절연 영역; 및

상기 제1 활성영역 및 제2 활성영역에 각각 독립적으로 대응하는 전극

을 구비하는 복합 기능 광소자

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 제1 활성영역은 수광 영역을 이루고,

상기 제2 활성 영역은 광변조 영역, 발광 영역 및 광출력 검출 영역 중 어느 하나의 영역을 이루는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자

10 10

제 8 항에 있어서,

상기 제1 활성영역은 발광영역을 이루고,

상기 제2 활성영역은 광출력 검출 영역을 이루는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자

11 11

광소자의 제조 방법에 있어서,

소정의 하부층이 형성된 반도체 기판 상의 소정 영역에 공진기 폭 이상의 간격을 사이에 두고 양쪽에 소정의 크기를 갖는 절연판을 형성하는 단계;

상기 전체 구조에 활성층을 형성하는 물질을 성장하여 에너지 밴드 갭의 크기가 각기 다른 제1, 제2 활성층을 형성하는 단계;

상기 전체 구조에 소정의 상부층을 형성하는 단계;

상기 전체 구조 중 소정 영역을 식각하여 소정의 하부층을 제거하는 단계;

상기 식각된 소정 영역에 소정 하부층, 상기 제1 및 제2 활성층과 에너지 밴드 갭의 크기가 다른 제3 활성층 및 소정 상부층을 형성하는 단계; 및

상기 각 활성층으로 구분되는 각 영역이 독립된 전극을 갖도록 활성층이 이루는 각 경계면 상부에 상기 소정의 상부층을 통하여 절연 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 복합 기능 광소자 제조 방법

12 12

제 11 항에 있어서,

상기 제1, 제2 및 제3 활성층은 직렬로 형성되어 하나의 공진기를 이루는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

13 13

제 11 항에 있어서,

상기 소정의 하부층은,

상기 반도체 기판 상에 제1 도전형의 하부 클래드층을 형성하는 단계; 및

상기 하부 클래드층 상에 제1 도전형의 하부 광도파로층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,

상기 소정의 상부층은,

상기 활성층 상에 제2 도전형의 상부 광도파로층을 형성하는 단계; 및

상기 상부 광도파로층 상에 제2 도전형의 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

14 14

제 11 항에 있어서,

상기 제1, 제2 및 제3 활성층은 각각 발광 기능, 광검출 기능, 수광 기능을 하도록 제1활성층의 에너지 밴드 갭의 크기가 제3 활성층 보다 작고 제2 활성층 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

15 15

제 14 항에 있어서,

상기 제1, 제2 및 제3 활성층은 각각 0

16 16

제 14 항에 있어서,

상기 제1, 제2 및 제3 활성층은 각각 300, 50, 100 ㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

17 17

제 14 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 활성층은 다중 양자 우물형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

18 18

제 14 항에 있어서,

상기 제3 활성층은 벌크형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

19 19

제 17 항에 있어서,

상기 제2 활성 영역의 공진기 폭이 제1 및 제3 활성층 영역의 공진기 폭보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

20 20

제 13 항에 있어서,

상기 반도체 기판은 InP 화합물 반도체 기판이고, 상기 상부 및 하부 광도파로층은 InGaAsP, 상기 상부 및 하부 클래드층은 InP로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

21 21

제 17 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 활성층은 InGaAs/InGaAsP로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

22 22

제 18 항에 있어서,

상기 제3 활성층은 InGaAs, InGaAsP 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

23 23

제 13 항에 있어서,

상기 하부 클래드층을 형성하는 단계 후, 하부 회절 격자를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

24 24

제 13 항에 있어서,

상기 상부 광도파로층을 형성하는 단계 후, 상부 회절 격자를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

25 25

제 11 항 또는 제 13 항에 있어서,

상기 절연 영역은 상기 활성층의 경계면 상의 상부층을 선택적으로 식각하여 드러난 영역에 절연막을 성장하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

26 26

제 11 항 또는 제 13 항에 있어서,

상기 절연 영역은 상기 활성층의 경계면 상의 상부층에 선택적으로 이온주입 공정을 실시하여 절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

27 27

제 11 항에 있어서,

상기 제1 및 제2의 활성층을 형성하는 단계 후, 상기 절연판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

28 28

제 11 항에 있어서,

상기 제1, 제2 활성층의 소정의 상부층을 형성하는 단계 후, 상기 제1, 제2 활성층의 소정의 상부층 영역 위에 절연층을 형성하는 단계; 및

상기 제3 활성층 및 소정의 상부층을 형성하는 단계 후, 상기 절연층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 기능 광소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.