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전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076149
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 한 층 이상의 절연층과 한 층 이상의 형광막으로 이루어진 전계발광 소자 구조에, 밴드갭 조정이 가능하고 저반사율을 가진 유사다이아몬드 탄소 박막을 도입한 고휘도의 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것이다.전계발광 디스플레이 소자들은 구성 박막이 비교적 균일하며 평탄한 박막으로 이루어져 있고, 빛이 발광되는 측의 전극은 투명한 전도성 박막으로 형성되며, 반대편의 전극은 주로 알루미늄이나 내화 금속과 같은 금속으로 형성되는데, 이러한 박막들은 반사율이 매우 커서, 외부 광원의 빛이 태양광을 비롯한 강한 광원 하에서는 선명도가 크게 저하되는 문제가 있다. 또한 절연막의 굴절율이 크기 때문에 형광막에서 발생한 빛이 대부분 전면으로 투과 되지 못하고 측면으로 새어나가는 단점이 있다.본 발명에서는 유사다이아몬드 탄소 박막을 도입하여, 전계발광 디스플레이 반사 방지용 박막으로 적용하면 금속 박막으로부터의 반사를 막아주어 강한 외부 광원 하에서도 선명한 상을 볼 수 있으며, 밴드갭을 1.5 eV 이하로 낮게 제어하여 형광막과 계면을 형성하도록 성장시키면 전자 주입 효율을 증가시켜 휘도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970047179 (1997.09.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243104-0000 (1999.11.15)
공개번호/일자 10-1999-0025514 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
2 백문철 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성우 대한민국 대전광역시 유성구
4 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0149689-16
2 특허출원서
Patent Application		 1997.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0149687-14
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0149688-60
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0327309-28
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

양단의 전극 사이에 한 층 이상의 절연막과 한 층 이상의 형광막으로 구성된 전계발광 디스플레이 소자에 있어서,

투명 기판 하부에 투명 전도막을 증착하는 단계와,

상기 투명 전도막 하부에 양면이 절연막으로 형성된 형광막을 증착하는 단계와,

상기 절연막 하부에 저반사율의 유사다이아몬드 탄소 박막 및 금속 전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 형광막은, Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이금속 또는 알카리 희토류 금속이 발광 중심 원자로 작용하는 금속 황화물, 알카리 토류 황화물, 금속 갈륨 황화물 및 금속 산화물 중 어느 하나가 한층 이상인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 유사다이아몬드 탄소 박막은 밴드갭이 3

4 4

양단의 전극 사이에 한 층 이상의 절연막과 한 층 이상의 형광막으로 구성된 전계발광 디스플레이 소자에 있어서,

투명 기판 하부에 투명 전도막을 증착하는 단계와,

상기 투명 전도막 하부에 상부 절연막 및 형광막을 순차적으로 증착하는 단계와,

상기 형광막 하부에 저반사율의 유사다이아몬드 탄소 박막, 하부 절연막 및 금속 전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 형광막은, Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이금속 또는 알카리 희토류 금속이 발광 중심 원자로 작용하는 금속 황화물, 알카리 토류 황화물, 금속 갈륨 황화물 및 금속 산화물 중 어느 하나가 한층 이상인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 유사다이아몬드 탄소 박막은 밴드갭이 1

7 7

양단의 전극 사이에 한 층 이상의 절연막과 한 층 이상의 형광막으로 구성된 전계발광 디스플레이 소자에 있어서,

불투명 기판 상부에 금속 전극 및 저반사율의 유사다이아몬드 탄소 박막을 순차적으로 증착하는 단계와,

상기 유사다이아몬드 탄소 박막 상부에 양면이 절연막으로 형성된 형광막을 증착하는 단계와,

상기 절연막 상부에 투명 전도막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 형광막은, Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이금속 또는 알카리 희토류 금속이 발광 중심 원자로 작용하는 금속 황화물, 알카리 토류 황화물, 금속 갈륨 황화물 및 금속 산화물 중 어느 하나가 한층 이상인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

9 9

제 7 항에 있어서,

상기 유사다이아몬드 탄소 박막은 밴드갭이 3

10 10

양단의 전극 사이에 한 층 이상의 절연막과 한 층 이상의 형광막으로 구성된 전계발광 디스플레이 소자에 있어서,

불투명 기판 상부에 금속 전극, 상부 절연막 및 저반사율의 유사다이아몬드 탄소 박막을 순차적으로 증착하는 단계와,

상기 유사다이아몬드 탄소 박막 상부에 형광막, 하부 절연막 및 투명 전도막을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

11 11

제 10 항에 있어서,

상기 형광막은, Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이금속 또는 알카리 희토류 금속이 발광 중심 원자로 작용하는 금속 황화물, 알카리 토류 황화물, 금속 갈륨 황화물 및 금속 산화물 중 어느 하나가 한층 이상인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

12 12

제 10 항에 있어서,

상기 유사다이아몬드 탄소 박막은 밴드갭이 1

13 13

투명 기판 하부에 투명 전도 박막 및 형광막을 순차적으로 증착하는 단계와,

상기 형광막 하부에 저반사율의 유사다이아몬드 탄소 박막 및 금속 전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

14 14

제 13 항에 있어서,

상기 형광막은, Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이금속 또는 알카리 희토류 금속이 발광 중심 원자로 작용하는 금속 황화물, 알카리 토류 황화물, 금속 갈륨 황화물 및 금속 산화물 중 어느 하나가 한층 이상인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.