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알더블유지 구조의 고출력 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015076391
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 0.98μm 반도체 레이저에서 발생하는 COD(catastrophic optical damage)에 의한 수명단축 현상을 없앤 새로운 RWG(ridge waveguide) 구조의 0.98μm 반도체 레이저에 대한 것이다. 0.98μm 반도체 레이저에서 발생하는 COD의 원인이 되는 광 출력면에서의 온도상승을 억제하기위해 출력면 부근의 RWG 영역을 형성시키지 않음으로써 광 출력 분포를 확대시켜주기 위하여, 공진기 길이 방향으로 출력면 끝을 기준하여 30μm 위치에서 스트라이프가 정지 되도록 소정 폭과 소정 길이의 리지(ridge)를 형성시켜, 공진기 양쪽 끝 부분은 도파로가 없는(non waveguide) 영역이 형성된 레이저 구조를 제공한다. 이에따라 공진기 내에서 발생한 빛이 양쪽 출력면 부근에서는 증폭되지 않고 단순히 유효 굴절률이 다른 물질을 통과하도록 하여주어 횡 방향으로 광 출력 분포가 넓어지도록 하여 출력면에서의 열을 감소시킴으로써 고출력으로 오랜 시간 동작하여도 특성이 열화 되지 않는 반도체 레이저를 제공할 수 있다.
Int. CL H01S 5/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970049766 (1997.09.29)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243417-0000 (1999.11.16)
공개번호/일자 10-1999-0027329 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
3 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
4 박경현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157894-02
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157893-56
3 특허출원서
Patent Application		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157892-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0327515-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

리지 웨이브 가이드(RWG) 구조의 반도체 레이저에 있어서,

공진기 길이 방향으로 출력면 끝을 기준하여 30μm 위치에서 스트라이프가 정지 되도록 소정 폭과 소정 길이의 리지(ridge)를 형성시켜, 공진기 양쪽 끝 부분은 도파로가 없는(non waveguide) 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 구조

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 도파로가 없는(non waveguide) 영역에 옴 접촉 금속은 형성시키지 않고 열 방출을 위한 금 도금은 형성시키는 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 구조

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 리지는, 길이 방향의 한 쪽과 다른쪽 끝의 폭이 서로 다르게 테이퍼진 모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 구조

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 테이퍼진 리지의 넓은쪽 부분의 폭이 5 ∼ 6μm이고, 좁은 쪽 부분의 폭은 1

5 5

화합물 반도체 기판(1) 위에 n-GaInAsP 완충층(2), n-GaInP 클래드층(3), GaInAsP 완충층(4), GaInAs/GaInAsP 활성층(5), GaInAsP 완충층(6), p-GaInP 클래드층(7), p-GaInAsP 완충층(8) 및 p+-GaAs 옴 접촉층(9)을 성장시키는 단계와,

성장된 시료에 Si3N4 절연막(10)과 포토레지스트(11)를 입힌 다음 폭 3∼4μm , 공진기 길이 방향으로는 출력면 끝을 기준하여 30μm 위치에서 스트라이프가 정지 되도록 사진식각하고 RIE(reactive ion etching)를 이용하여 리지(ridge)를 형성시키는 단계와,

사진식각 공정을 통하여 리지(ridge) 상단에 전류 주입구를 형성시킨 후 리프트오프(lift-off) 공정을 이용하여 1차 p측 전극(14)을 형성시키는 단계와,

웨이퍼 전면에 Ti/Au를 증착 시킨 다음 사진식각 공정을 이용하여 접합 패드(bonding pad) 및 열 방출 경로로 사용될 2차 p 측 전극 패턴을 형성시킨 다음 도금공정을 통하여 2차 p측 전극(18)을 2∼3μm 두께로 형성시키는 단계와,

상기 기판(1)을 100μm 정도만 남도록 갈아낸 다음 n측 전극(19)을 형성시켜 공진기 양쪽 끝에 리지(ridge) 영역이 없는, 도파로가 없는(non waveguide) 영역(13)을 형성시킨 0

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 p-GaInP 클래드층(7) 성장 도중에 GaAs 식각 정지 층을 삽입하여 넣는 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 제조방법

7 7

제 5 항에 있어서,

상기 리지를 형성시키는 단계에서, RIE(reactive ion etching)를 이용하여 1μm 정도 식각한 다음 습식식각을 이용하여 식각 정지 층까지 식각하는 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 제조방법

8 8

제 5 항에 있어서,

상기 도파로가 없는(non waveguide) 영역에는 옴 접촉 금속은 형성시키지 않고 열 방출을 위한 금 도금은 형성시키는 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 제조방법

9 9

제 5 항에 있어서,

상기 리지는 길이 방향으로 한쪽끝과 다른쪽 끝의 폭이 다르게 테이퍼진 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 제조방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 활성층의 폭이 좁은 쪽에 저 반사막을 넓은 쪽에 고 반사막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 RWG 고출력 반도체 레이저 제조방법

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1 US06278720 US 미국 FAMILY
2 US06406932 US 미국 FAMILY
3 US20010021213 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2001021213 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6278720 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US6406932 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.