광변조기에 있어서,

반도체 기판 상에 위치하는 제1 클래드층;

상기 제1 클래드층 상의 중앙부에 위치하는 다중양자우물 구조의 광 흡수층;

상기 제1 클래드층 상부 및 상기 광 흡수층의 양단에 위치하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로층;

상기 광흡수층 및 상기 수동 광도파로층 상에 위치하는 제2 클래드층;

상기 제2 클래드층 내의 상기 광흡수층과 상기 수동 광도파로층의 경계 상에 위치하는 절연층;

상기 광흡수층과 상기 수동 광도파로층 상에 독립적으로 전압을 인가하기 위한 전극; 및

상기 제1 클래드층, 상기 수동 광도파로층 및 상기 제2 클래드층의 양측면에 접하는 무반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기

제 1 항에 있어서,

상기 광 흡수층과 상기 수동 광도파로층은 동일한 다중 양자우물 구조의 반도체층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 전극은 상기 제2 클래드층 상에 각각 형성된 전극인 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기

제 3 항에 있어서,

상기 다중 양자우물 구조의 반도체층은 밴드갭 에너지가 광파장 1

제 4 항에 있어서,

상기 제1 클래드층은 n형이고, 상기 제2 클래드층은 p형인 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기

제 5 항에 있어서,

상기 광흡수층의 길이는 50 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기

제 6 항에 있어서,

상기 수동 광도파로의 길이는 100 ㎛ 내지 300 ㎛인 것을 특징으로 하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기

광변조 방법에 있어서,

반도체 기판 상의 제1 클래드층 및 제2 클래드층 사이의 중앙부에 위치하는 다중 양자우물 구조의 광 흡수층에 상기 제2 클래드층을 통하여 역방향 전압을 인가하고,

상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 사이에 위치하되, 상기 광흡수층의 양단에 연결되는 다중양자우물 구조의 수동 광도파로층 각각에 상기 제2 클래드층을 통하여 순방향 전압을 인가하여,

광변조기 입력면으로 입사된 광을 온-오프(on-off)로 변조시켜 광출력면으로 출력하는 광변조 방법

제 8 항에 있어서,

상기 광 흡수층에 인가되는 역방향 전압의 크기는 2V를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 광변조 방법

제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,

상기 수동 광도파로층에 인가되는 순방향 전압의 크기는 1V인 것을 특징으로 하는 광변조 방법

광변조기 제조 방법에 있어서,

반도체 기판 상에 제1 클래드층을 형성하는 제1 단계;

상기 제1 클래드층 상에 영역별로 광흡수 영역과 수동 광도파로 영역을 이룰 다중 양자우물 구조의 반도체층을 형성하는 제2 단계;

상기 다중 양자우물 구조의 반도체층 상에 제2 클래드층을 형성하는 제3 단계;

상기 제2 클래드층 내에 절연층을 형성하여, 상기 다중 양자우물 구조의 반도체층을 광 흡수 영역과 상기 광 흡수 영역의 양단에 이웃하는 수동 광도파로 영역으로 분할하는 제4 단계; 및

상기 제2 클래드층 상에 상기 광 흡수 영역과 상기 수동 광도파로 영역에 각각 대응하는 전극을 형성하는 제5 단계를 포함하는 다중 양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기 제조 방법

제 11 항에 있어서,

상기 제4 단계에서,

상기 제2 클래드층 내에 수소 또는 붕소 이온을 주입하여 상기 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기 제조 방법

제 12 항에 있어서,

상기 제5 단계에서,

상기 전극을 Ti/Pt/Au의 p형 전극으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다중양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기 제조 방법

제 13 항에 있어서,

상기 제5 단계 후,

와이어 본딩 패드가 형성될 부분에 폴리이미드를 도포하는 제6 단계;

상기 와이어 본딩 패드 부분에 Au를 도금하는 제7 단계; 및

Cr/Au의 n형 전극을 형성하는 제8 단계; 및

상기 제1 클래드층, 상기 다중양자우물 구조의 반도체층 및 상기 제2 클래드층 양면에 무반사 박막을 형성하는 제9 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중양자우물 구조의 수동 광도파로가 집적된 광변조기 제조 방법