요약 | 본 발명은 전력 소자 제조방법 및 그 구조에 관한 것으로, 특히 집적회로(IC; integrated circuits)에서 전력 소자가 동작할 때 발생되는 열을 적절하게 방열시킬 수 있는 전력 소자 제조방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명은 에스오아이 실리콘 기판에서 기판 실리콘과 활성 실리콘 층사이에 있는 층간 산화막에 구멍을 뚫어 산화막 보다 열전도도가 우수한 다이아몬드 박막을 끼워 넣음으로써 전력 소자에서 발생된 열을 효과적으로 빼 낼 수 있게 하여 소자의 동작 특성과 신뢰성을 더욱 개선시킬 수 있다. |
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Int. CL | H01L 27/04 (2006.01) |
CPC | H01L 27/0251(2013.01) H01L 27/0251(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019970072051 (1997.12.22) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0258177-0000 (2000.03.08) |
공개번호/일자 | 10-1999-0052558 (1999.07.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20000601) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1997.12.22) |
심사청구항수 | 2 |