요약 | 본 발명은 화합물반도체 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제작 공정을 이용하여 턴-온 전압이 다른 3종류의 PN 접합 다이오드를 제작하는 방법을 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명은, 반절연 화합물반도체 기판 상에 고농도 제1도전형의 부콜렉터층, 저농도 제1도전형의 콜렉터층, 고농도 제2도전형의 베이스층 및 고농도 제1도전형의 에미터층을 순차적으로 에피택셜 성장시키는 제1단계; 제2패턴 상부에 제1패턴이 형성되도록 마스크 및 식각 공정을 실시하여, 상기 에미터층을 상기 제1패턴으로 형성하고, 상기 콜렉터층과 상기 베이스층을 상기 제2패턴으로 형성하는 제2단계; 제2단계가 완료된 결과물 전면에 상기 콜렉터층과 동일한 두께로 고농도 제1도전형의 에피층을 성장시키는 제3단계; 상기 제2패턴 가장자리의 상기 베이스층이 노출되도록 상기 에피층을 선택적으로 식각하는 제4단계; 리프트 오프 공정에 의해 상기 에피층과 상기 노출된 베이스층 상에 전극을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어져, 턴-온 전압이 서로 다른 3개의 PN 접합 다이오드가 집적화된다.화합물반도체소자, 턴-온 전압, PN 접합다이오드 |
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Int. CL | H01L 29/861 (2006.01) |
CPC | H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) H01L 29/66136(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019990030377 (1999.07.26) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0333634-0000 (2002.04.10) |
공개번호/일자 | 10-2001-0011140 (2001.02.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20020424) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2000.08.23) |
심사청구항수 | 2 |