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산화층을 이용한 전류차단구조 및 그를 이용한 양자점레이저다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077379
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화알루미늄층을 이용한 전류차단구조와 그를 이용한 양자점 레이저다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 전류차단구조 형성 방법은 제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 제1클래딩층을 형성하는 제 1 단계, 상기 제1클래딩층 상부에 자발적으로 양자점 활성층을 성장시키는 제 2 단계, 상기 양자점 활성층을 산화마스크로 이용하여 상기 제1클래딩층을 산화시켜 전류차단층을 형성하는 제 3 단계, 상기 전류차단층을 포함한 양자점 활성층상에 제2 도전형 제2클래딩층을 형성하는 제 4 단계, 상기 제2 도전형 제2클래딩층 상에 제2 도전형 캡층을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어진다.레이저 다이오드, 양자점, 전류차단층, 갈륨비소, 인듐비소
Int. CL H01S 5/32 (2006.01)
CPC H01S 5/3203(2013.01) H01S 5/3203(2013.01) H01S 5/3203(2013.01) H01S 5/3203(2013.01)
출원번호/일자 1019990057255 (1999.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0349662-0000 (2002.08.09)
공개번호/일자 10-2001-0055920 (2001.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20020822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성복 대한민국 대전광역시유성구
2 노정래 대한민국 대전광역시유성구
3 박경완 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-0170011-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0329033-41
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0026836-12
5 의견서
Written Opinion		 2002.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0026838-03
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0267983-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1 도전형 기판 상에 제1 도전형 제1클래딩층을 형성하는 제 1 단계;

상기 제1클래딩층 상부에 자발적으로 양자점 활성층을 성장시키는 제 2 단계;

상기 양자점 활성층을 산화마스크로 이용하여 상기 제1클래딩층을 산화시켜 전류차단층을 형성하는 제 3 단계;

상기 전류차단층을 포함한 양자점 활성층상에 제2 도전형 제2클래딩층을 형성하는 제 4 단계; 및

상기 제2 도전형 제2클래딩층 상부에 제2 도전형 캡층을 형성하는 제 5 단계

을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 양자점 활성층은 상기 제1클래딩층과 격자부정합이 큰 물질을 이용하여 발머-웨버모드로 3차원 섬형태로 형성된 인듐비소 양자점인 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제 2, 3 단계는,

상기 양자점활성층을 성장시키는 성장장치내에서 일괄공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제2 도전형 제2클래딩층은 상기 양자점 활성층 상부에 형성되는 균일한 격자구조의 제2클래딩층과 상기 전류차단층 상부에 형성되는 다수의 격자결함을 갖는 제2클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 제2 도전형 캡층은 상기 균일한 격자구조를 갖는 제2클래딩층 상부에 형성된 균일한 격자구조의 캡층과 상기 다수의 격자결함을 포함한 제2 클래딩층 상부에 형성된 다수 격자결함구조의 캡층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단 구조 형성 방법

6 6

제1 도전형 반도체기판 상에 제1클래딩층을 형성하는 제 1 단계;

상기 제1클래딩층 상에 상기 제1클래딩층과 격자부정합이 큰 물질을 이용하여 3차원 섬형태의 양자점활성층을 자발적으로 형성하는 제 2 단계;

상기 양자점 활성층을 마스크로 이용하여 상기 제1클래딩층을 산화시켜 전류차단층을 형성하는 제 3 단계;

상기 양자점 활성층의 상부에 균일한 격자구조의 제2클래딩층을 형성시킴과 동시에 상기 전류차단층 상부에 다수의 격자결함을 포함한 제2클래딩층을 형성하는 제 4 단계;

상기 균일한 격자구조를 갖는 제2클래딩층 상부에 균일한 격자구조의 캡층을 형성함과 동시에 상기 다수의 격자결함을 포한한 제2클래딩층 상부에 다수의 격자결함을 갖는 캡층을 형성하는 제 5 단계; 및

상기 제 1 도전형 기판 하부에 제1 도전형 전극을 형성하고 상기 제2 도전형 캡층 상부에 제 2 도전형 전극을 형성하는 제 6 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드의 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 제 1 도전형은 N형 도전형이고 상기 제 2 전도형은 P형 도전형인 것을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드 제조 방법

8 8

제 6 항에 있어서,

상기 양자점 활성층은 상기 제1클래딩층과 격자부정합이 큰 물질을 이용하여 발머-웨버모드로 3차원 섬형태로 자발적으로 형성된 인듐비소 양자점을 이용함을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드의 제조 방법

9 9

N형 갈륨비소기판 상에 N형 알루미늄갈륨비소층을 형성하는 제 1 단계,

상기 N형 알루미늄갈륨비소층상에 상기 N형 알루미늄갈륨비소층과 격자부정합이 큰 물질을 이용하여 3차원 섬형태의 인듐비소양자점을 자발적으로 형성하는 제 2 단계,

상기 인듐비소양자점을 마스크로 이용하여 상기 N형 알루미늄갈륨비소층을 산화시켜 산화알루미늄층을 형성하는 제 3 단계,

상기 인듐비소양자점의 상부에 균일한 격자구조를 갖는 P형 알루미늄갈륨비소 클래딩층을 형성함과 동시에 상기 산화알루미늄층 상부에 다수의 격자 결함을 갖는 알루미늄갈륨비소 클래딩층을 형성하는 제 4 단계;

상기 결과물 전면에 P형 캡층을 형성하는 제 5 단계; 및

상기 N형 갈륨비소기판의 하부와 P형 캡층의 상부에 각각 N형 전극과 P형 전극을 형성하는 제 6 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드의 제조 방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 산화알루미늄층은 상기 인듐비소양자점으로 흐르는 전류를 차단하는 전류차단층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드의 제조 방법

11 11

제 9 항에 있어서,

상기 N형 전극은 전자빔증착법을 이용하여 티타늄-금과 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드의 제조 방법

12 12

제 9 항에 있어서,

상기 P형 전극은 열증착법을 이용하여 금-게르마늄, 니켈과 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 레이저다이오드의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.