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이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077552
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 개별 제조되는 신호광 및 펌핑광이 입사되는 저손실 광 도파로 소자와 Er, Nd 등 희토류 금속 이온이 함유된 증폭용 광 도파로 소자를 결합시킨 구조의 평면 도파로형 광증폭기와 그 제조 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 이러한 구조를 갖는 증폭기를 이용하여 분배기, 파장다중화기 등의 PLC(Planar Lightwave Circuit)소자와 결합시켜 소자에서 발생되는 신호 감쇄를 보상시킨 광증폭 응용 소자 제조를 제공한다.본 발명에 따르면 저손실 도파로는 각종 기능성 소자의 집적이 가능하고, 광증폭용 도파로는 증폭 특성만 최적화하여, 개별 제조된 두 도파로 소자를 결합시켜 광증폭기를 제조하는 것이 가능하므로 본 발명의 증폭기의 경우 증폭 효과와 소자의 기능을 모두 최대화 할 수 있다.
Int. CL G02B 6/13 (2006.01)
CPC G02B 6/29335(2013.01) G02B 6/29335(2013.01) G02B 6/29335(2013.01) G02B 6/29335(2013.01) G02B 6/29335(2013.01) G02B 6/29335(2013.01)
출원번호/일자 1020000004123 (2000.01.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0363887-0000 (2002.11.25)
공개번호/일자 10-2001-0076768 (2001.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20021211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.28)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심재기 대한민국 대전광역시유성구
2 신장욱 대한민국 대전광역시유성구
3 김태홍 대한민국 대전광역시유성구
4 박상호 대한민국 대전광역시유성구
5 김덕준 대한민국 대전광역시유성구
6 성희경 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0016242-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0020470-12
4 의견서
Written Opinion
2002.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0093547-71
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.03.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0093549-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 등록결정서
Decision to grant
2002.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0314426-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

개별 소자로 제조되는, 신호광 및 펌핑광을 결합시키는 파장다중화기와 신호광 전송도파로를 저손실 도파로로 구성한 저손실 광 도파로 소자와 희토류 금속 이온이 함유된 도파로로 구성한 증폭용 광 도파로 소자로 구성되며,

상기 증폭용 광 도파로 소자는 상기 저손실 광 도파로 소자의 서로 끊어진 저손실 도파로의 상부에 위치하고, 희토류 금속 이온 함유 도파로의 일부가 저손실 도파로의 상부에서 겹치는 구조를 형성하도록 상기 두 광 도파로 소자를 결합시켜,

입력단의 저손실 도파로에서 신호광 및 펌핑광이 상부의 희토류 금속 이온이 함유된 도파로쪽으로 자연스럽게 이동되어 광 증폭이 일어난 후 다시 하부의 출력단의 저손실 도파로로 이동되어 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기

2 2

제1항에 있어서,

상기 저손실 광 도파로 소자와 상기 증폭용 광 도파로의 결합은 UV 경화 에폭시, 또는 스프링을 이용하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기

3 3

제1항에 있어서,

상기 저손실 광 도파로 소자와 상기 증폭용 광 도파로 소자의 결합은 정확한 정렬을 위하여 저손실 도파로의 클래드층 일부를 식각 등의 방법으로 가공하여 결합공간을 마련하여, 그곳에 증폭용 광 도파로 소자를 장착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기

4 4

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 저손실 광 도파로 소자와 상기 증폭용 광 도파로의 결합 부위에 UV 경화 적외선 투과 에폭시 또는 굴절율 정합액 등의 저손실 매질을 충진시켜 광 손실을 감소시키는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기

5 5

개별 소자로 제조되는, 신호광 및 펌핑광을 결합시키는 파장다중화기와 집적하고자 하는 기능성 수동소자들을 저손실 도파로로 구성한 저손실 광 도파로 소자와 희토류 금속 이온이 함유된 도파로로 구성한 증폭용 광 도파로 소자로 구성되며,

상기 증폭용 광 도파로 소자는 상기 저손실 광 도파로 소자의 서로 끊어진 저손실 도파로의 상부에 위치하고, 희토류 금속 이온 함유 도파로의 일부가 저손실 도파로의 상부에서 겹치는 구조를 형성하도록 상기 두 광 도파로 소자를 결합시켜,

입력단의 저손실 도파로에서 신호광 및 펌핑광이 상부의 희토류 금속 이온이 함유된 도파로쪽으로 자연스럽게 이동되어 광 증폭이 일어난 후 다시 하부의 출력단의 저손실 도파로로 이동되어 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 기능성 수동소자가 포함된 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기

6 6

신호광 및 펌핑광을 결합시키는 파장다중화기와 신호광 전송도파로를 저손실 도파로로 구성한 저손실 광 도파로 소자를 제조하는 공정과;

희토류 금속 이온이 함유된 도파로로 구성한 증폭용 광 도파로 소자를 제조하는 공정; 및

상기 두 광 도파로 소자를 결합시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

7 7

제6항에 있어서,

상기 저손실 광 도파로 소자를 제조하는 공정은,

실리콘 기판상에 화염가수분해법등을 이용하여 소정의 굴절율 차를 갖는 버퍼층과 코아층을 형성하는 단계;

상기 코아층 위에 열 증착을 통하여 소정 두께의 금속 마스크를 형성한 후, 포토 리소그라피와 습식 식각을 통하여 신호광 및 펌핑광을 결합시키는 파장다중화기와 신호광 전송도파로를 구성할 도파로 패턴을 형성하는 단계; 및

유도결합플라즈마 식각을 통하여 신호광 및 펌핑광을 결합시키는 파장다중화기와 신호광 전송도파로를 식각하고 난 후 금속막을 제거하고, 그 위에 화염가수분해법을 이용하여 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

8 8

제6항에 있어서,

상기 증폭용 광 도파로 소자를 제조하는 공정은,

Er 이온이 함유된 규산염 유리 위에 소정 두께의 금속 박막을 열증착으로 형성하는 단계와;

포토리소그라피 및 습식 식각을 통하여 도파로 패턴을 형성한 후, 용융된 KNO3 염 속에 일정 시간 함침시켜 규산염 유리의 Na 이온을 K 이온으로 교환하여 도파로를 형성한 다음, 금속 박막을 산 용액으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

9 9

제6항에 있어서,

상기 증폭용 광 도파로 소자를 제조하는 공정은,

Er 이온과 Yb 이온이 함께 첨가된 인산염 유리위에 소정 두께의 금속 박막을 열증착으로 형성하는 단계와;

포토리소그라피 및 습식 식각을 통하여 도파로 패턴을 형성한 후, 용융된 KNO3 염 속에 일정 시간 함침시켜 인산염 유리의 Na 이온을 K 이온으로 교환하여 도파로를 형성한 다음, 금속 박막을 산 용액으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

10 10

제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 두 광 도파로 소자를 결합시키는 공정은,

상기 저손실 광 도파로 소자의 상부 클래드층에 포토리소그라피와 식각을 통하여 노출부를 형성하는 단계;

이미 제조된 증폭용 광 도파로 소자를 정밀 가공하여 적정한 크기로 만든 후, 자외선 경화 에폭시를 발라 상기 노출부에 부착하고, 신호광을 입사시켜 신호광의 손실이 최소가 되도록 광 증폭용 도파로 소자의 위치를 미세 조정하는 단계;

자외선을 조사하여 에폭시를 경화시켜 두 광 도파로 소자를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

11 11

제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 두 광 도파로 소자를 결합시키는 공정은,

상기 저손실 도파로 소자의 상단에 소정의 굴절율을 갖는 굴절율 정합액을 균일하게 도포한 후 광 증폭용 도파로 소자를 올려 놓고 미리 만들어진 스프링 체결하여 결합시키는 것을 특징으로 하는 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

12 12

실리콘 기판상에 화염가수분해법을 이용하여 소정의 굴절율 차를 갖는 버퍼층과 코아층을 형성하는 단계; 상기 코아층 위에 열 증착을 통하여 소정 두께의 금속 마스크를 형성한 후, 포토 리소그라피와 습식 식각을 통하여 집적하고자 하는 파장다중화기 및 기능성 수동소자들의 도파로 패턴을 형성하는 단계; 및 유도결합플라즈마 식각을 통하여 파장다중화기와 기능성 수동소자들을 형성하고 난 후 금속막을 제거하고, 그 위에 화염가수분해법을 이용하여 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함하는 기능성 수동소자를 포함하는 저손실 광 도파로 소자를 제조하는 공정과;

Er 이온 또는 Er 이온과 Yb 이온이 함유된 규산염 또는 인산염 유리 위에 소정 두께의 금속 박막을 열증착으로 형성하는 단계; 포토리소그라피 및 습식 식각을 통하여 도파로 패턴을 형성한 후, 용융된 KNO3 염 속에 일정 시간 함침시켜 규산염 또는 인산염 유리의 Na 이온을 K 이온으로 교환하여 도파로를 형성한 다음, 금속 박막을 산 용액으로 제거하는 단계를 포함하는 희토류 금속 이온이 함유된 도파로로 구성한 증폭용 광 도파로 소자를 제조하는 공정; 및

상기 저손실 광 도파로 소자의 서로 끊어진 저손실 도파로의 상부에 상기 증폭용 광 도파로 소자를 위치시키고, 희토류 금속 이온 함유 도파로의 일부가 저손실 도파로의 상부에서 겹치도록 두 광도파로 소자를 결합하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기능성 수동소자가 포함된 이종 접합 평면 도파로형 광증폭기 제조 방법

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