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광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 집적된 장파장 반도체 광수신 칩

  • 기술번호 : KST2015077662
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 턴낼링에 의한 누설전류를 줄이며 광흡수층에서 생성된 전하들이 원활하게 이동할 수 있게 함으로써 턴낼링 누설전류를 최소화한 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 단일 칩으로 비교적 복잡하지 않고 재현성 있게 구현된 광수신 칩을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판 상에 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 함께 집적화된 광수신 칩에 있어서, 상기 광검출기는, 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형의 제1 InP층; 상기 제1 InP층 상부에 적층된 제1 도전형의 InGaAs로 이루어진 광흡수층; 상기 광흡수층 상부에 적층된 제2 도전형의 제2 InP층; 상기 제1 InP층과 상기 광흡수층 사이에 배치된 제1 도전형의 제1 InGaAsP층; 상기 광흡수층과 상기 제2 InP층 사이에 배치된 제2 도전형의 제2 InGaAsP층; 및 상기 제2 InP층 상에 배치된 제2 도전형의 InGaAs로 이루어진 오믹층을 구비하며, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터는, 상기 오믹층 상에 배치된 제1 도전형의 InGaAs로 이루어진 서브 콜렉터층; 상기 서브 콜렉터층 상에 배치된 제1 도전형의 InGaAsP로 이루어진 희생층; 상기 희생층 상에 배치된 제1도전형의 InGaAs로 이루어진 콜렉터층; 상기 콜렉터층 상에 배치된 제2 도전형의 InGaAsP로 이루어진 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 배치된 제1도전형의 InP로 이루어진 에미터층을 구비하는 것을 특징으로 하는 광수신 칩을 제공한다.InGaAs, InGaAsP, 단차, 격자 정합, 이종접합 바이폴라 트랜지스터, 광검출기, 광수신 칩.
Int. CL H01L 31/12 (2006.01)
CPC H01L 31/1105(2013.01) H01L 31/1105(2013.01)
출원번호/일자 1020010047655 (2001.08.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0444820-0000 (2004.08.09)
공개번호/일자 10-2003-0013580 (2003.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20040818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남은수 대한민국 대전광역시서구
2 임종원 대한민국 서울특별시강남구
3 박민 대한민국 대전광역시유성구
4 김해천 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2001-0198037-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2003-0019919-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0471361-23
6 의견서
Written Opinion		 2004.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0033809-12
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0033803-49
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.02.27 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2004-5033390-12
9 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2004.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0014671-12
10 반려통지서
Notice for Return		 2004.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0024573-14
11 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0306712-65
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 함께 집적화된 광수신 칩에 있어서,

상기 광검출기는,

상기 기판 상에 배치된 제1 도전형의 제1 InP층;

상기 제1 InP층 상부에 적층된 제1 도전형의 InGaAs로 이루어진 광흡수층;

상기 광흡수층 상부에 적층된 제2 도전형의 제2 InP층;

상기 제1 InP층과 상기 광흡수층 사이에 배치된 제1 도전형의 제1 InGaAsP층;

상기 광흡수층과 상기 제2 InP층 사이에 배치된 제2 도전형의 제2 InGaAsP층; 및

상기 제2 InP층 상에 배치된 제2 도전형의 InGaAs로 이루어진 오믹층을 구비하며,

상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터는,

상기 오믹층 상에 배치된 제1 도전형의 InGaAs로 이루어진 서브 콜렉터층;

상기 서브 콜렉터층 상에 배치된 제1 도전형의 InGaAsP로 이루어진 희생층;

상기 희생층 상에 배치된 제1도전형의 InGaAs로 이루어진 콜렉터층;

상기 콜렉터층 상에 배치된 제2 도전형의 InGaAsP로 이루어진 베이스층; 및

상기 베이스층 상에 배치된 제1도전형의 InP로 이루어진 에미터층을 구비하는 것을 특징으로 하는 광수신 칩

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 InGaAsP층의 구성비는 실질적으로 In(0

10 10

제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,

상기 제1 도전형은 n형이고, 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 광수신 칩

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.