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광 증폭 시스템에 있어서, 대표적인 포논 에너지가 실질적인 320 cm-1 이하인 광재료; 상기 광재료에 도핑된 프라세오디뮴 이온; 상기 광재료를 광 펌핑시켜 1
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제1항에 있어서, 상기 광재료는 센시타이저로서 어븀 이온을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제1항에 있어서, 상기 프라세오디뮴 이온의 첨가량이 실질적으로 0
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광재료는 셀레나이드 계열 유리임을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광재료는 텔루라이드 계열 유리임을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 여기 수단은 1450 ∼ 1600 nm의 파장의 광을 포함하는 것을 특징으로 광 증폭 시스템
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제1항에 있어서, 상기 여기 수단은 1900 ∼ 2100 nm 파장의 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 여기 수단은 1480 nm 대역 레이저 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 여기 수단은 1
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제1항에 있어서, 상기 광 펌핑은 (3F3, 3F4) 준위 또는 (3F2, 3H6) 준위로 이루어짐을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제2항에 있어서, 상기 광 펌핑은 (3F3, 3F4) 준위로 이루어짐을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제2항에 있어서, 상기 어븀 이온의 첨가량이 실질적으로 1 몰% 이하임을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제14항에 있어서, 상기 광재료는 단결정 또는 비정질 재료임을 특징으로 하는 조성물
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제14항에 있어서, 상기 광재료는 셀레나이드 계열 유리임을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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제14항에 있어서, 상기 광재료는 텔루라이드 계열 유리임을 특징으로 하는 광 증폭 시스템
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