맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

음각 식각을 이용한 평판형 광 도파로 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077709
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 음각 식각을 이용한 평판형 광 도파로 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 광통신용 부품으로 사용가능한 평판형 광 도파로 소재가 비정질(amorphous) 상태의 금속 산화물인 채널 도파로를 실리콘 또는 실리카 등과 같은 유전체 기판 상에 구현하는 기술에 관한 것이다.광통신용 부품으로 사용가능한 평판형 광 도파로 소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 표면에 열산화막 또는 비정질 막을 형성하는 제 1단계; 상기 열산화막 또는 비정질 막에 금속 마스크를 입힌 후 리소그라피 공정을 한 다음 도파로 패턴을 형성하는 제 2단계; 상기 열산화막 또는 비정질 막 내부에 도파로 코아에 대응하는 홈을 형성하기 위하여 상기 열산화막 또는 비정질 막을 식각하는 제 3단계; 상기 열산화막 또는 비정질 막 내부에 형성된 상기 홈에 졸-겔 공정을 적용하여 비정질 상태의 금속산화물을 충전시키는 제 4단계; 및 상기 비정질 상태의 금속산화물에 클래드 역할을 하는 비정질 막을 피복하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법이 제공된다.광 도파로, 음각 식각, 졸-겔 공정
Int. CL G02B 6/02 (2006.01)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1020000077634 (2000.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0367087-0000 (2002.12.20)
공개번호/일자 10-2002-0048497 (2002.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20030109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.18)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김덕준 대한민국 대전광역시유성구
2 신장욱 대한민국 대전광역시유성구
3 김태홍 대한민국 대전광역시유성구
4 심재기 대한민국 대전광역시유성구
5 박상호 대한민국 대전광역시유성구
6 성희경 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-0269647-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 등록결정서
Decision to grant		 2002.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0357143-01
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0021973-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광통신용 부품으로 사용가능한 평판형 광 도파로 소자의 제조방법에 있어서,

실리카 유리 기판 표면에 금속 마스크를 입힌 후 리소그라피 공정을 한 다음 도파로 패턴을 형성하는 제 1단계;

상기 실리카 유리 기판에 도파로 코아에 대응하는 홈을 형성하기 위하여 상기 실리카 유리 기판을 식각하는 제 2단계;

상기 실리카 유리 기판에 형성된 상기 홈에 졸-겔 공정을 적용하여 비정질 상태의 금속산화물을 충전시키는 제 3단계; 및

상기 비정질 상태의 금속산화물에 클래드 역할을 하는 비정질 막을 피복하는 제 4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 2단계는,

상기 도파로 패턴이 형성된 실리카 유리 기판에 대한 식각 공정시 반응성 이온 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제 3단계는,

상기 졸-겔 공정에 있어서 금속 무기염(inorganic metal salt) 또는 금속 알콕사이드(metal alkoxide) 등과 같은 유기금속 화합물(metal organic compounds)의 수용액 또는 알코올용액을 출발 물질로 하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제 3단계는,

상기 졸-겔 공정 완료 후 도파로 코아에 대응하는 홈 이외의 영역에 형성된 비정질 막을 제거하기 위하여 반응성 이온 식각 공정 또는 기계적인 연마 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

5 5

광통신용 부품으로 사용 가능한 평판형 광 도파로 소자의 제조방법에 있어서,

실리콘 기판 표면에 실리콘의 열산화막 또는 실리카 계열의 비정질 막을 형성하는 제 1단계;

상기 열산화막 또는 비정질 막에 금속 마스크를 입힌 후 리소그라피 공정을 한 다음 도파로 패턴을 형성하는 제 2단계;

상기 열산화막 또는 비정질 막 내부에 도파로 코아에 대응하는 홈을 형성하기 위하여 상기 열산화막 또는 비정질 막을 식각하는 제 3단계;

상기 열산화막 또는 비정질 막 내부에 형성된 상기 홈에 졸-겔 공정을 적용하여 비정질 상태의 금속산화물을 충전시키는 제 4단계; 및

상기 비정질 상태의 금속산화물에 클래드 역할을 하는 비정질 막을 피복하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 제 3단계는,

상기 도파로 패턴이 형성된 열산화막 또는 비정질 막에 대한 식각 공정시 반응성 이온 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

7 7

제 5 항에 있어서,

상기 제 4단계는,

상기 졸-겔 공정에 있어서 금속 무기염(inorganic metal salt) 또는 금속 알콕사이드(metal alkoxide) 등과 같은 유기금속 화합물(metal organic compounds)의 수용액 또는 알코올용액을 출발 물질로 하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

8 8

제 5 항에 있어서,

상기 제 4단계는,

상기 졸-겔 공정 완료 후 도파로 코아에 대응하는 홈 이외의 영역에 형성된 열산화막 또는 비정질 막을 제거하기 위하여 반응성 이온 식각 공정 또는 기계적인 연마 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

9 9

제 5 항에 있어서,

상기 열산화막 또는 비정질 막은 두께가 5㎛ 이상인 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 광 도파로 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.