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습식방법에 의한 실리콘의 선택적 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015077866
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 박막의 식각 방법에 관한 것으로서 특히 도핑된 실리콘박막과 비도핑된 실리콘박막 사이에 높은 식각 선택비를 가지는 습식 식각에 대한 것이다. 본 발명을 이용할 경우 6:1 이상의 높은 식각 선택비를 가지게 되기 때문에 반도체 소자의 제조 과정에서 기술자가 원하는 다양한 형태의 소자 구조를 형성하고자할 때 손쉽게 공정의 제어가 가능하다. 또한 종래의 건식 식각 방법에서는 식각 대상의 하층 박막에 미치는 손상 때문에 불가능했던 공정의 진행이 가능하다. 따라서 본 발명을 이용할 경우 기술자가 원하는 소자의 특성에 가장 적합한 소자의 구성이 보다 용이해지며 그 공정의 제어도 손쉬어지기 때문에, 결과적으로 소자의 특성 향상과 생산성의 향상을 꾀할 수 있다.도핑된 실리콘, 비도핑된 실리콘, 습식식각
Int. CL H01L 21/3063 (2006.01)
CPC H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/32134(2013.01) H01L 21/32134(2013.01)
출원번호/일자 1020000086556 (2000.12.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0392362-0000 (2003.07.10)
공개번호/일자 10-2002-0058450 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20030722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황치선 대한민국 대전광역시대덕구
2 송윤호 대한민국 대전광역시서구
3 김도형 대한민국 울산광역시남구
4 이진호 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0287565-63
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.03.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0046679-63
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0380657-96
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.12.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0426871-71
7 의견서
Written Opinion		 2002.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0426861-14
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0227497-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

소정 공정이 완료된 구조물 상에 비도핑된 실리콘 박막과 도핑된 실리콘 박막을 적층하는 단계:

상기 도핑된 실리콘 박막 상에 도핑된 실리콘 박막의 식각 영역이 오픈된 마스크패턴을 형성하는 단계;

상기 도핑된 실리콘 박막을 상기 비도핑된 실리콘 박막에 대해 선택적으로 습식 식각하는 단계를 포함하며,

상기 습식 식각 용액은 산화작용이 큰 성분의 질산과 상기 산화작용에 의하여 형성된 산화막을 식각하는 성분의 불화수소를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

3 3

제2항에 있어서,

상기 습식 식각 용액으로 초산, 질산 및 불화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

4 4

제2항에 있어서,

상기 습식 식각 용액으로 물, 질산 및 불화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

5 5

제3항 또는 제4항에 있어서,

상기 마스크패턴은 포토리소그라피 공정에 의해 형성된 포토레지스트패턴 임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법

6 6

제3항 또는 제4항에 있어서,

상기 습식 식각후,

상기 습식 식각에 의해 생성되는 드러난 비도핑 실리콘 박막 상의 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.