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측면-테이퍼 도파로를 형성하기 위한 방법에 있어서, 소정공정이 완료된 기판 상에 도파로층을 형성하는 단계; 양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 마스크(레티클)를 사용하여 접촉식 노광장비로 포토리소그라피 공정을 수행하여, 상기 도파로층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 식각장벽으로 하여 상기 도파로층을 식각하는 단계; 및 상기 마스크패턴를 제거하고 상기 스트레인 분산 패드에 대응되는 도파로층 패턴만을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하는 단계 를 포함하여 이루어진 측면-테이퍼 도파로 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크패턴의 테이퍼 끝단은 약 0
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제1항에 있어서, 상기 도파로층의 식각은 건식 식각 및 습식 식각중 어느한 방법 또는 이들의 조합으로 이루어짐을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법
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제1항에 있어서, 패턴된 상기 도파로층은 약 0
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제1항에 있어서, 상기 마스크패턴은 포토레지스트 또는 실리콘질화막 임을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법
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반도체기판상에 제1도파로층, 제1클래드층 제2도파로층 및 제2클래드층을 차례로 적층 형성하는 단계; 양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 마스크(레티클)를 사용하여 접촉식 노광장비로 포토리소그라피 공정을 수행하여, 상기 도파로층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 식각장벽으로 하여 상기 제2클래드층과 상기 제2도파로층을 식각하는 단계: 상기 측면-테이퍼에 영역과 상기 스트레인 분산 패드 영역이 끊기도록 상기 제2도파로층을 식각하는 단계; 및 상기 스트레인 분산 패드에 대응되는 상기 제2도파로층 패턴을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 모드변환기 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 마스크패턴의 테이퍼 끝단은 약 0
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제6항에 있어서, 상기 도파로층의 식각은 건식 식각 및 습식 식각중 어느한 방법 또는 이들의 조합으로 이루어짐을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법
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제6항에 있어서, 패턴된 상기 도파로층은 약 0
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10
제6항에 있어서, 상기 마스크패턴은 실리콘질화막 임을 특징으로 하는 모드변환기 제조 방법
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제1항의 제조방법으로 제조된 측면-테이퍼 도파로를 갖는 광소자
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제5항의 제조방법으로 제조된 모드변환기가 함께 집적화된 광소자
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13
광소자의 테이퍼 패턴을 형성하기 위한 포토리소그라피용 마스크에 있어서, 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 광소자 패턴 형성을 위한 포토리소그라피용 마스크
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