맞춤기술찾기

이전대상기술

가변 수동소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015078001
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고주파 집적회로에 사용되는 가변 가능한 수동소자에 관한 것으로서, 병렬 커패시터를 연결하여 버랙터의 직렬저항을 줄임으로써 높은 충실도를 가지도록 한 가변 수동소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 가변 수동소자는 버랙터와 상기 버랙터의 충실도보다 높은 충실도를 가지는 커패시터를 병렬로 연결함으로써, 버랙터의 직렬저항을 감소시키고 소자 전체의 충실도를 향상시킨다. 이러한 높은 충실도를 가지는 가변 수동소자를 이용하면, 전압제어발진기나 가변 정합회로, 가변 대역통과회로 등의 부품을 집적화할 수 있어서 높은 성능을 가지면서 가격은 낮출 수 있는 잇점이 있다. 버랙터, 수동소자, 병렬커패시터, 초고주파 집적회로
Int. CL H01L 29/93 (2006.01)
CPC H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01)
출원번호/일자 1020010037363 (2001.06.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0530739-0000 (2005.11.17)
공개번호/일자 10-2003-0001044 (2003.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20051128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.01.15)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유현규 대한민국 대전광역시유성구
2 장재홍 대한민국 대구광역시달서구
3 김충기 대한민국 대전광역시유성구
4 김성도 대한민국 대전광역시유성구
5 윤용식 대한민국 대전광역시유성구
6 박필재 대한민국 경상북도경산시
7 김천수 대한민국 대전광역시유성구
8 황남 대한민국 대전광역시유성구
9 박정우 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0157326-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.01.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2004-0017412-25
4 출원심사청구서
Request for Examination
2004.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0017401-23
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041991-34
7 등록결정서
Decision to grant
2005.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0478846-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
버랙터와, 상기 버랙터에 병렬로 연결되고 상기 버랙터의 충실도보다 높은 충실도를 가지는 커패시터를 포함하여, 상기 버랙터의 직렬저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 가변 수동소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 버랙터는 다이오드형 버랙터인 것을 특징으로 하는 가변 수동소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 버랙터는 메탈-산화막-반도체(MOS)형 버랙터인 것을 특징으로 하는 가변 수동소자
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커패시터는 메탈-산화막-반도체(MOS) 커패시터인 것을 특징으로 하는 가변 수동소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 커패시터는 메탈-절연막-메탈(MIM) 커패시터인 것을 특징으로 하는 가변 수동소자
6 6
P형 기판 내에 N형 우물영역을 형성하는 단계와; 상기 N형 우물영역 내에 다수의 P+ 확산영역과 N+ 확산영역을 일정 간격으로 두고 번갈아가며 형성하는 단계와; 상기 N+ 확산영역 위에 산화막을 형성하는 단계와; 상기 산화막 위에 다결정 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 P+ 확산영역과 상기 다결정 실리콘층을 금속으로 배선 연결하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 가변 수동소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.