반도체 광소자에 있어서,

기판 상의 소정영역에 메사 구조로 제공되는 활성층;

상기 메사 구조를 덮도록 배치된 P-N-P 구조의 제1 전류 차단층; 및

상기 제1 전류 차단층의 주변을 둘러싸도록 배치되어 매립형 리지 구조를 이루는 제2 전류 차단층

을 포함하여 이루어지는 광소자

제 1 항에 있어서,

상기 제1 전류 차단층은,

상기 메사 구조 및 그 주변 영역을 덮는 제1 P형 클래드층;

상기 제1 P형 클래드층에 덮힌 상기 메사 구조의 주변 영역을 둘러싸도록 배치된 N형 클래드층; 및

상기 메사 구조 및 상기 N형 클래드층 상부에 오버랩 되도록 배치된 제2 P형클래드층을 포함하여 이루어지는 광소자

제 1 항에 있어서,

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 P형 클래드층과 상기 N형 클래드층을 이루는 물질층은 각각 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자

반도체 광소자 제조 방법에 있어서,

기판 상의 소정영역에 메사 구조의 활성층을 형성하는 제1 단계;

상기 메사 구조가 형성된 전체 구조 표면을 따라 제1 도전형 제1 클래드층을 형성하는 제2 단계;

상기 제1 클래드층 상에 측면 성장이 우세한 성장 조건을 이용하여 제2 도전형 제2 클래드층을 형성하는 제3 단계;

상기 제2 클래드층을 전면식각하여 상기 활성층 상부의 상기 제1 클래드층이 노출되도록 하는 제4 단계;

상기 제4 단계를 마친 전체 구조 상부에 제1 도전형 제3 클래드층을 향성하여 평탄화를 이루는 제5 단계;

제 5 항에 있어서,

상기 제6 단계는,

상기 메사 구조 및 상기 제2 클래드층을 덮는 이온주입용 차단 마스크를 형성하는 제7 단계와, 상기 이온주입용 차단 마스크를 사용하여 수소 이온주입을 실시하는 제8 단계를 포함하여 이루어지는 광소자 제조 방법

제 5 항에 있어서,

상기 제4 단계의 상기 전면식각은, 습식 식각 방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법

제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제1 도전형은 P형이며, 상기 제2 도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법