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전계 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078402
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도막 또는 형광층을 방향성 있는 화합물로 형성하고, 이를 식각하여 돌기형상으로 제조함으로써 소자 측면으로 전파되는 빛의 손실을 감소시키고 디스플레이 전면으로 전파되는 빛의 양을 증대시켜 디스플레이의 휘도 및 효율을 향상시킬 수 있는 전계 방출 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 기판 상에 형성된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 형광층, 및 형광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극, 형광층 및 제 2 전극 중 적어도 하나가 소정 영역에 돌기 형상의 표면을 갖도록 하는 전계 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.전계 발광 소자, 형광층, 투명 전도막, II-VI족, III-V족, 돌기
Int. CL H05B 33/26 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020004433 (2002.01.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0064028 (2003.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용의 대한민국 서울특별시강동구
2 박상희 대한민국 대전광역시유성구
3 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
4 김용신 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0024561-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.11.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0062540-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0110342-89
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0214515-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 형광층 및 상기 형광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,

상기 제 1 전극, 상기 형광층 및 상기 제 2 전극 중 적어도 하나가 소정 영역에 돌기 형상의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극과 상기 형광층 사이에 형성된 제 1 절연층; 및

상기 형광층과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 제 2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 형광층은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 중에서 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 발광하는 황화물 또는 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및/또는 상기 제 2 전극이 상기 돌기 형상의 표면을 갖는 경우, 돌기가 형성된 상기 전극은 III족의 원소가 도핑된 II-VI족 또는 III-V족 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 돌기 형성 전극은 B, Al, Ga, In 중 하나 이상의 원소가 도핑된, 육방정계 울짜이트 결정시스템을 가진 ZnO로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자

6 6

기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;

상기 제 1 전극 상에 형광층을 형성하는 단계; 및

상기 형광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,

상기 제 1 전극, 상기 형광층 및 상기 제 2 전극 중 적어도 하나가 소정 영역에 돌기 형상의 표면을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전극과 상기 형광층 사이에 제 1 절연층을 형성하는 단계; 및

상기 형광층과 상기 제 2 전극 사이에 제 2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법

8 8

제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 돌기 형상의 표면은,

II-VI족 또는 III-V족 화합물을 포함하는 막을 형성하는 단계; 및

상기 막을 소정 방식의 습식 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법

9 9

제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 형광층은 II-VI족 또는 III-V족 화합물 중에서 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 발광하는 황화물 또는 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법

10 10

제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 돌기 형상의 표면이 상기 제 1 전극 및/또는 상기 제 2 전극에 형성된 경우, 상기 돌기 형성 전극은 B, Al, Ga, In 중 하나 이상이 도핑된 육방정계 울짜이트 결정시스템을 가진 ZnO로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조 방법

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1 US06819043 US 미국 FAMILY
2 US20030141805 US 미국 FAMILY
3 US20040170755 US 미국 FAMILY

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1 US2003141805 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2004170755 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US6819043 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.