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광집적 회로의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015078481
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광집적 회로의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 능동 소자 영역 및 수동 소자 영역이 한정되어 있고, 코어층 및 제 1 클래드층이 순차적으로 적층된 화합물 기판을 제공한다. 상기 수동 소자 영역의 제 1 클래드층 상부에 에치 스톱퍼를 형성하고, 상기 능동 소자 영역 및 수동 소자 영역에 각각의 도파로를 형성하기 위한 마스크 패턴을 형성한다. 상기 수동 소자 영역을 덮도록 제 1 보호막을 형성하고, 상기 노출된 능동 소자 영역의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 제 1 클래드층, 코어층 및 화합물 기판의 소정 두께만큼을 식각하여 능동 도파로를 형성한 후, 상기 제 1 보호막을 제거한다. 그리고나서, 상기 화합물 기판 결과물 상부에 제 2 클래드층을 형성하고, 상기 능동 소자 영역을 덮도록 제 2 보호막을 형성한다음, 상기 제 2 클래드층을 습식 식각하여, 수동 소자 영역의 에치스톱퍼를 노출시킨다. 그후에, 상기 수동 소자 영역의 마스크 패턴의 형태로 에치 스톱퍼를 습식 식각하고, 상기 수동 소자 영역의 마스크 패턴의 형태로 제 1 클래드층, 코어층 및 화합물 기판의 일정 두께를 건식 식각하여, 능동 소자 도파로를 형성하는 단계를 포함한다. 광집적 회로, 도파로
Int. CL G02B 6/02 (2006.01) H01L 31/12 (2006.01)
CPC H01L 25/0753(2013.01) H01L 25/0753(2013.01) H01L 25/0753(2013.01) H01L 25/0753(2013.01) H01L 25/0753(2013.01)
출원번호/일자 1020020008750 (2002.02.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0425588-0000 (2004.03.22)
공개번호/일자 10-2003-0069275 (2003.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20040401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정우 대한민국 서울특별시동대문구
2 백용순 대한민국 대전광역시유성구
3 송정호 대한민국 제주도제주시
4 오광룡 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0049016-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0050863-68
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

능동 소자 영역 및 수동 소자 영역이 한정되어 있고, 코어층 및 제 1 클래드층이 순차적으로 적층된 화합물 기판을 제공하는 단계;

상기 수동 소자 영역의 제 1 클래드층 상부에 에치 스톱퍼를 형성하는 단계;

상기 능동 소자 영역 및 수동 소자 영역에 각각의 도파로를 형성하기 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계;

상기 수동 소자 영역을 덮도록 제 1 보호막을 형성하는 단계;

상기 노출된 능동 소자 영역의 마스크 패턴을 이용하여, 상기 제 1 클래드층, 코어층 및 화합물 기판의 소정 두께만큼을 식각하여 능동 도파로를 형성하는 단계;

상기 제 1 보호막을 제거하는 단계;

상기 화합물 기판 결과물 상부에 제 2 클래드층을 형성하는 단계;

상기 능동 소자 영역을 덮도록 제 2 보호막을 형성하는 단계;

상기 제 2 클래드층을 습식 식각하여, 수동 소자 영역의 마스크 패턴을 노출시키는 단계;

상기 수동 소자 영역의 마스크 패턴의 형태로 에치 스톱퍼를 습식 식각 하는 단계; 및

상기 수동 소자 영역의 마스크 패턴의 형태로 제 1 클래드층, 코어층 및 화합물 기판의 일정 두께를 건식 식각하여, 능동 소자 도파로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 마스크 패턴은 제 1 또는 제 2 클래드층과 식각 선택비가 상이한 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 보호막은 상기 마스크 패턴과 식각 선택비가 상이한 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 보호막은 포토레지스트막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제조방법

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 보호막은 상기 마스크 패턴과 동일한 절연막으로 형성되면서, 상기 마스크 패턴보다 그 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 광집적 회로의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 능동 소자 도파로를 형성하는 단계 이후에,상기 제 2 보호막 및 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적회로의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.