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이중 구조의 나노점을 갖는 광전소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015078560
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 이중 구조의 나노점을 형성하여 전자와 정공이 구속되는 밀도를 높임으로써 발광과 수광하는 광전효과를 증가시킨 광전소자 및 그 제조방법을 제공하는 것으로, 반도체 기판상에 형성된 전자주입층, 나노점 및 전공주입층을 포함하여 구성되는 광전소자에 있어서, 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 이루어진 광전소자와 반도체 기판상에 전자주입층을 형성하는 단계, 전자주입층 상에 에피성장으로 나노점층을 성장시키는 단계, 열처리를 통하여 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 형성하는 단계 및 전체구조상에 정공주입층을 형성하는 단계를 포함하는 광전소자의 제조방법을 제공한다. 나노점, 전자주입층, 정공주입층, 광전소자
Int. CL	H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020020052210 (2002.08.31)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0491051-0000 (2005.05.13)
공개번호/일자	10-2004-0020582 (2004.03.09) 문서열기
공고번호/일자	(20050524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.08.31)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	심규환	대한민국	대전광역시유성구
2	송영주	대한민국	대전광역시유성구
3	김상훈	대한민국	대전광역시중구
4	강진영	대한민국	대전광역시유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.08.31	수리 (Accepted)	1-1-2002-0285374-72
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.02.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.03.12	수리 (Accepted)	9-1-2004-0015870-29
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.11.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0488051-17
5	의견서 Written Opinion	2005.01.17	수리 (Accepted)	1-1-2005-0025406-28
6	명세서 등 보정서 Amendment to Description, etc.	2005.01.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0025401-01
7	등록결정서 Decision to grant	2005.05.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0220455-76
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체 기판상에 형성된 전자주입층, 나노점 및 전공주입층을 포함하여 구성되는 광전소자에 있어서, 상기 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 외부 나노점은 간접천이형 반도체로 이루어지고, 상기 내부 나노점은 직접천이형 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 전자주입층과 상기 전공주입층 사이에 형성되며, 내부에 나노점을 구비하는 양자우물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 양자우물층은 깊은 양자우물층 및 얕은 양자우물층의 이중구조로 이루어지며, 상기 나노점과 인접하여 대칭으로 깊은 양자우물층이 형성되고, 이 층의 상,하부 각각에 얕은 양자우물층이 형성된 것을 특징으로 하는 하는 광전소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 나노점이 형성된 나노점층이 2개 이상 반복적으로 형성된 것을 특징으로 하는 광전소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 전자 주입층 및 정공주입층은 Si, GaAs, GaN, InP 또는 SiC 물질로 이루어지며, 상기 양자우물층은 SiGe, InGaAs, InGaN 또는 InAsP 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전소자
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 외부 나노점의 직경은 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 광전소자
8	8 반도체 기판상에 전자주입층을 형성하는 단계; 상기 전자주입층 상에 에피성장으로 나노점층을 성장시키는 단계; 열처리를 통하여 상기 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 형성하는 단계; 및 상기 전체구조상에 정공주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 나노점층 성장 단계의 전후 각각에, 양자우물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법
10	10 제 8 항에 있어서
11	11 제 8 항에 있어서, 상기 외부 나노점은 간접천이형 반도체로 형성하고, 상기 내부 나노점은 직접천이형 반도체로 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법
12	12 제 8 항에 있어서, 상기 나노점층은 2개 이상 반복적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법
13	13 제 8 항에 있어서, 상기 전자 주입층 및 정공주입층은 Si, GaAs, GaN, InP 또는 SiC 물질을 이용하여 형성하고, 상기 양자우물층은 SiGe, InGaAs, InGaN 또는 InAsP 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법
14	14 제 8 항에 있어서, 상기 외부 나노점의 직경은 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법
15	14 제 8 항에 있어서, 상기 외부 나노점의 직경은 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US06791105	US	미국	FAMILY
2	US07094617	US	미국	FAMILY
3	US20040041144	US	미국	FAMILY
4	US20050006636	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2004041144	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2005006636	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US6791105	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US7094617	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0491051-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20020831 출원 번호 : 1020020052210 공고 연월일 : 20050524 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050512 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 이중 구조의 나노점을 갖는 광전소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150514

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	418,500 원	2005년 05월 16일	납입
제 4 년분	금 액	373,000 원	2008년 04월 28일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2009년 05월 04일	납입
제 6 년분	금 액	348,000 원	2010년 04월 30일	납입
제 7 년분	금 액	632,000 원	2011년 05월 11일	납입
제 8 년분	금 액	632,000 원	2012년 04월 30일	납입
제 9 년분	금 액	632,000 원	2013년 04월 17일	납입
제 10 년분	금 액	1,010,000 원	2014년 04월 21일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.08.31	수리 (Accepted)	1-1-2002-0285374-72
2	선행기술조사의뢰서	2004.02.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2004.03.12	수리 (Accepted)	9-1-2004-0015870-29
4	의견제출통지서	2004.11.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0488051-17
5	의견서	2005.01.17	수리 (Accepted)	1-1-2005-0025406-28
6	명세서 등 보정서	2005.01.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0025401-01
7	등록결정서	2005.05.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0220455-76
8	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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