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광소자 및 광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015079127
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소자 및 광소자의 제조 방법에 관한 것으로, 능동 도파로와 수동 도파로가 집적된 광소자에 있어서, 수동 도파로에 도핑되지 않은 클래딩막을 형성함으로써, 수동 도파로의 광 도파 손실을 줄일 수 있고, 능동 도파로의 전류 누설을 방지하기 위한 별도의 패시베이션막 형성공정을 생략할 수 있는 광소자 및 광소자의 제조 방법을 제공한다. 능동 광도파로, 수동 광도파로, 메사 패턴, 코어막, 클래딩막, BRS 도파로
Int. CL H01S 5/32 (2006.01.01)
CPC H01S 5/32(2013.01)
출원번호/일자 1020030029440 (2003.05.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0494225-0000 (2005.05.31)
공개번호/일자 10-2004-0096376 (2004.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 대전광역시서구
2 송정호 대한민국 제주도제주시
3 백용순 대한민국 대전광역시유성구
4 김종회 대한민국 대전광역시유성구
5 심은덕 대한민국 대전광역시유성구
6 박정우 대한민국 서울특별시동대문구
7 오광룡 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)엘디스 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2003-0165512-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015902-37
4 등록결정서
Decision to grant
2005.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0249044-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
능동 도파로 영역에 능동 메사 패턴과, 수동 도파로 영역에 수동 메사 패턴이 형성된 기판을 제공하는 단계; 전체 구조상에 제 1 도핑되지 않은 클래딩막, N형 클래딩막 및 제 1 P형 클래딩막을 순차적으로 형성하는 단계; 패터닝 공정을 통해 상기 능동 도파로 영역의 상기 제 1 P형 클래딩막 및 상기 N형 클래딩막 및 일부의 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막을 제거하는 단계; 전체 구조상에 제 2 P형 클래딩막을 형성하는 단계; 및 상기 능동 도파로 영역의 상기 능동 메사 패턴과 대응되도록 상기 제 2 P형 클래딩막 상에 오옴 접촉막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막은, 상기 수동 도파로 영역의 광 도파 손실을 방지하고, 상기 능동 도파로 영역의 누설 전류를 방지하기 위해, 도핑되지 않은 InP막을 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 N형 클래딩막은, 후속 공정에 의해 P형 도판트가 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막으로 확산되는 현상을 방지하기 위해 N타입 도핑된 InP막을 0
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 패터닝 공정은, 상기 능동 메사 패턴을 중심 기준으로 그 양옆으로 상기 능동 메사 패턴의 선폭의 2 배 내지 10배 폭만큼 각각 개방하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 P형 클래딩막을 형성하는 단계는, P타입 도핑된 InP막을 성장하여 형성하되, 상기 P타입 도핑된 InP막의 성장 시 상기 제 2 P형 클래딩막과 접촉된 영역의 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막이 P타입으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 능동 메사 패턴은, 상기 기판의 상기 능동 도파로 영역 상에 능동 코어막 및 제 3 P형 클래딩막을 형성하는 단계; 및 패터닝 공정을 실시하여 상기 제 3 P형 클래딩막 및 상기 능동 코어막을 제거하고, 상기 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 수동 메사 패턴은, 상기 기판의 상기 수동 도파로 영역 상에 수동 코어막 및 제 2 도핑되지 않은 클래딩막을 형성하는 단계; 및 패터닝 공정을 실시하여 상기 제 2 도핑되지 않은 클래딩막 및 상기 수동 코어막을 제거하고, 상기 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 패터닝 공정 단계와 제 2 P형 클래딩막 형성단계 사이 또는 제 2 P형 클래딩막 형성단계와 오옴 접촉막 형성단계 사이에, 수소 이온주입을 통해 패시베이션막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조 방법
9 9
소정의 영역에 능동 메사 구조와 수동 메사 구조가 형성된 반도체 기판; 상기 능동 메사 구조 주변을 둘러싸도록 배치되어 상기 능동 메사 구조의 누설 전류를 방지하고, 상기 수동 메사 구조를 매립하여 광 도파 손실을 방지하는 제 1 도핑되지 않은 클래딩막; 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막상에 배치되어, 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막으로 P형 도판트가 확산되는 것을 방지하는 N형 클래딩막; 상기 능동 메사 구조를 매립하고, 상기 N형 클래딩막 상에 배치되어, 상기 능동 메사 구조에 전류를 주입하기 위한 P형 클래딩막; 및 상기 능동 메사 구조를 매립하는 상기 P형 클래딩막상에 배치된 오옴 접촉막을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
10 9
소정의 영역에 능동 메사 구조와 수동 메사 구조가 형성된 반도체 기판; 상기 능동 메사 구조 주변을 둘러싸도록 배치되어 상기 능동 메사 구조의 누설 전류를 방지하고, 상기 수동 메사 구조를 매립하여 광 도파 손실을 방지하는 제 1 도핑되지 않은 클래딩막; 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막상에 배치되어, 상기 제 1 도핑되지 않은 클래딩막으로 P형 도판트가 확산되는 것을 방지하는 N형 클래딩막; 상기 능동 메사 구조를 매립하고, 상기 N형 클래딩막 상에 배치되어, 상기 능동 메사 구조에 전류를 주입하기 위한 P형 클래딩막; 및 상기 능동 메사 구조를 매립하는 상기 P형 클래딩막상에 배치된 오옴 접촉막을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.