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순차적으로 적층된 하부 전극, 하부 절연막, 형광체, 상부 절연막 및 상부 전극을 구비한 무기 박막 전계 발광 소자에 있어서, 상기 하부 절연막 및 상기 상부 절연막 중 적어도 하나는 저유전막 및 상기 형광체에 접촉되는 고유전막을 구비하는 다층 절연막인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 고유전막은 MHON, MHO2 또는 3원계 산화막인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 MH는 Ta, Ti, Y, Zr, Zn, Mg, Ca, Hf, Ba 또는 란탄족 원소인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 저유전막은 MLON인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 ML은 Al인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 다층 절연막은 2 층 절연막이고, 상기 다층 절연막의 두께에 대한 상기 고유전막의 두께의 비가 1/6 내지 1/2인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자
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하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 위에 하부 절연막을 형성하는 단계; 상기 하부 절연막 위에 형광체를 형성하는 단계; 상기 형광체 위에 상부 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 상부 절연막 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 하부 절연막을 형성하는 단계 및 상기 상부 절연막을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 저유전막 및 상기 형광체에 접촉되는 고유전막을 구비한 다층 절연막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 절연막 또는 상기 유전막을 형성하는 단계는 하나 또는 둘 이상의 PEALD 사이클로 구성되어 있으며, 각 사이클은 전구체를 주입하는 단계; 제 1 퍼지 단계; 반응가스를 주입하며 플라즈마를 인가하는 단계; 및 제 2 퍼지 단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 유전막이 고유전막인 경우, 상기 전구체는 Ta, Ti, Y, Zr, Zn, Mg, Ca, Hf, Ba 또는 란탄족 원소를 함유한 단수개 또는 복수개의 소스인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 유전막이 저유전막인 경우, 상기 전구체는 TMA인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 반응가스는 O2+N2 또는 O2인 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 다층 절연막 형성 단계는 인-시츄(in-situ)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 다층 절연막 형성 단계는 인-시츄(in-situ)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 박막 전계 발광 소자의 제조 방법
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