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다중양자우물을 갖는 전계흡수형 광 변조기

  • 기술번호 : KST2015079350
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계흡수형 반도체 광 변조기에 관한 것이다. 반도체를 이용한 전계흡수형 광 변조기는 소자에 인가되는 바이어스 전압에 따른 흡수곡선의 이동에 기인한 광 흡수 변화를 이용한다. 이 때 바이어스 전압에 따른 광 흡수 정도는 인가되는 바이어스에 대한 출력광의 전달함수로 표시되며, 전달함수는 재료의 특성상 비선형적인 모양을 갖는다. 디지털 광통신 시스템의 신호변조와는 달리 아날로그 광 전송 시스템에서는 광 변조기의 전달함수가 지닌 비선형적인 특성이 전기신호를 광신호로 바꾸어 줄 때 신호왜곡을 발생시켜 시스템의 성능 저하를 일으킬 수 있다. 통상적인 광 변조기의 흡수층은 동일한 너비를 갖는 양자우물로 구성된 반면, 본 발명에 따른 광 변조기의 흡수층은 서로 다른 너비를 갖는 양자우물의 조합으로 이루어져 선형성이 양호하다. 광 변조기, 흡수층, 양자우물, 전달함수, 선형성
Int. CL G02F 1/313 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030067338 (2003.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0605372-0000 (2006.07.20)
공개번호/일자 10-2005-0031476 (2005.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강영식 대한민국 대전광역시서구
2 김제하 대한민국 대전광역시유성구
3 임지연 대한민국 대전광역시유성구
4 김성복 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0360865-16
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2003.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-5188986-79
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0393183-64
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0510826-34
5 의견서
Written Opinion		 2005.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0510835-45
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0065280-70
7 의견서
Written Opinion		 2006.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0226659-11
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0226657-19
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0411725-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
흡수층;상기 흡수층의 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 및 하부 클래드층; 및상기 흡수층에 전기장을 인가하기 위한 전극들을 포함하여 구성되며, 상기 흡수층은 서로 다른 너비를 갖는 다수개의 양자우물의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계흡수형 광 변조기
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 흡수층은 InGaAsP 계열로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계흡수형 광 변조기
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 하부 클래드층은 반도체 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계흡수형 광 변조기
7 7
제 1 항에 있어서,상기 다수개의 양자우물의 조합은 2종류의 양자우물들이 조합되어 다중양자우물의 흡수층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계흡수형 광 변조기
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 2종류의 양자우물들은 너비가 좁은 양자우물과 넓은 양자우물이 m : n (m〉n)의 비율로 조합되는 것을 특징으로 하는 전계흡수형 광 변조기
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 너비가 좁은 양자우물의 a 값(하기의 수학식 12에 의해 정의됨)이 상기 너비가 넓은 우물의 a 값보다 큰 것을 특징으로 하는 전계흡수형 광 변조기
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 너비가 좁은 양자우물의 a 값은 상기 너비가 넓은 양자우물의 a 값보다 0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06985273 US 미국 FAMILY
2 US20050068601 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005068601 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6985273 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.