맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

식각된 강유전체 박막을 이용한 분포 정수형 아날로그위상 변위기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015079376
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인가 전압에 따라 유전율이 변하는 강유전체 박막을 이용한 초고주파 가변 소자에 관한 것으로, 인가 전압에 따라 위상 속도를 변화시키면서 특성 임피던스의 변화는 감소시킬 수 있는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 분포 정수형 아날로그 위상 변위기는, 기판 상에 라인 형태로 연장되는 CPW(coplanar waveguide)가 배치되어 있고, 상기 CPW에 주기적으로 다수의 강유전체 캐패시터가 로딩되어 있다. 강유전체 캐패시터는 패턴 형태의 강유전체 박막을 구비하여, 인가 전압의 영향을 받는 강유전체 박막을 캐패시터 면적 내부로 국한시킨다. 이에 따라, 인가 전압의 변화에 따른 위상 속도의 변화는 유지하면서 원치 않는 CPW의 특성 변화를 방지하고 박막 유전 손실을 줄임으로써 위상 변위기의 반사 손실 및 삽입 손실 특성을 향상시킬 수 있다. 강유전체 박막, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, CPW(coplanar waveqguide), 강유전체 캐패시터
Int. CL H01Q 21/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030056847 (2003.08.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0546759-0000 (2006.01.19)
공개번호/일자 10-2005-0019211 (2005.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20060126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.18)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 류한철 대한민국 서울특별시중랑구
2 문승언 대한민국 대전광역시유성구
3 곽민환 대한민국 경상남도진주시
4 이수재 대한민국 대전광역시유성구
5 이상석 대한민국 대전광역시유성구
6 김영태 대한민국 서울특별시관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0302932-28
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2003.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-5169200-22
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2003.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-5169199-63
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0016863-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0371092-03
7 의견서
Written Opinion		 2005.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0551613-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0649656-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 라인 형태로 연장되는 CPW(coplanar waveguide); 및 상기 CPW에 주기적으로 로딩되어 있는 다수의 강유전체 캐패시터를 포함하고, 상기 강유전체 캐패시터의 강유전체는 패턴 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 CPW는 마이크로 스트립 라인으로 형성되는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 다수의 강유전체 캐패시터는, 상기 CPW로부터 일정 간격마다 양측으로 분기된 제 1 전극; 상기 접지 라인으로부터 상기 제 1 전극 각각과 대응되도록 연장된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극과 오버랩되도록 형성되는 패턴 형상의 강유전체로 구성되는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 강유전체는 BST(barium strontium titanate)인 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 고저항 실리콘, 반절연 갈륨 아세나이드, 알루미나, 글래스, 사파이어 및 마그네슘 산화막 중 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기
6 6
기판상에 강유전체막을 증착하는 단계; 상기 강유전체막을 패턴 형태로 식각하는 단계; 상기 강유전체 패턴이 형성된 기판 상부에 금속막을 증착하는 단계; 및 상기 금속막을 식각하여, CPW, 제 1 전극, 접지 라인 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 강유전체 패턴과 소정 부분 오버랩되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 강유전체막은 PLD(pulsed laser deposition) 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 강유전체막은 RF 이온 밀링(ion-milling) 방식으로 식각하는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 금속막은 금/크롬의 적층막인 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 금속막은 DC 마그네트론 스퍼터링 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기의 제조방법
11 10
제 9 항에 있어서, 상기 금속막은 DC 마그네트론 스퍼터링 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07192530 US 미국 FAMILY
2 US20050040915 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005040915 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7192530 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.