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실리콘 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015079903
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 발광층과 실리콘 발광층에 전압차를 인가하기 위한 전극들을 포함하여 구성된 실리콘 발광소자에 있어서, 실리콘 발광층의 상부와 하부 중 적어도 하나에 실리콘 카본 나이트라이드막을 구비하는 실리콘 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 실리콘 발광소자, 실리콘 기판, 실리콘 카본 나이트라이드막, 실리콘 발광층
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020040024917 (2004.04.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0549219-0000 (2006.01.26)
공개번호/일자 10-2005-0099739 (2005.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20060203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 대전광역시유성구
2 김태엽 대한민국 서울특별시은평구
3 김경현 대한민국 대전광역시유성구
4 성건용 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 제이앤케이사이언스 서울특별시 서초구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0149382-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.12.13 수리 (Accepted) 9-1-2005-0080577-04
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0042261-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 발광층과 상기 실리콘 발광층에 전압차를 인가하기 위한 전극들을 포함하여 구성된 실리콘 발광소자에 있어서, 상기 실리콘 발광층의 발광효율을 높이기 위하여, 상기 실리콘 발광층의 상부와 하부 중 적어도 하나에 실리콘 카본 나이트라이드막을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 발광층은 비정질 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 기저체에 의해 둘러싸인 결정질 실리콘 미세구조 또는 비정질 실리콘 양자점으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막의 두께는 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막의 도핑농도는 1016∼1019cm-3인 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막의 에너지 띠간격은 2
6 6
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 발광파장에 대한 투과율이 60 내지 99% 의 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
7 7
실리콘 발광층과 상기 실리콘 발광층에 전압차를 인가하기 위한 전극들을 포함하여 구성된 실리콘 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 발광층의 상부와 하부 중 적어도 하나에 상기 실리콘 발광층의 발광효율을 높이기 위한 실리콘 카본 나이트라이드막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 화학기상 증착법에 의해 실란 가스와 메탄 가스, 또는 질소나 암모니아 가스를 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 100 내지 600℃의 온도 범위, 0
10 10
제 7항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 스퍼터링법에 의해 형성하되, 메탄, 질소 및 암모니아 가스를 사용하며, 타겟으로 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘 나이트라이드(SiN)를 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 100 내지 600℃의 온도 범위, 1 내지 10Torr의 성장압력 범위에서 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
12 12
제 7항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 1016 내지 1019cm-3 정도 범위 내의 도핑농도를 얻도록 불순물을 활성화하기 위해 300 내지 800℃의 온도에서 30초 내지 5분 동안 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
13 13
기판; 상기 기판 상부의 소정 영역에 형성된 실리콘 발광층; 상기 실리콘 발광층의 상부와 하부 중 적어도 하나에 발광효율을 높이기 위해 형성된 실리콘 카본 나이트라이드막; 및 상기 실리콘 발광층에 전압차를 인가하기 위해서 배치되는 제1 및 제2 전극을 포함하여 이루어진 실리콘 발광소자
14 14
제 13항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드막은 상기 실리콘 발광층 상부에 형성되고, 상기 실리콘 발광층 측부의 상기 실리콘 기판 상에 형성된 제1 전극과 상기 실리콘 카본 나이트라이드막 상부의 소정 영역에 형성된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
15 15
제 14항에 있어서, 상기 실리콘 발광층과 상기 실리콘 기판 사이에 추가로 실리콘 카본 나이트라이드막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
16 15
제 14항에 있어서, 상기 실리콘 발광층과 상기 실리콘 기판 사이에 추가로 실리콘 카본 나이트라이드막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01587150 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01587150 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP17303259 JP 일본 FAMILY
4 US20050224817 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100423302 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1684282 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1587150 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1587150 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2005303259 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2005224817 US 미국 DOCDBFAMILY
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