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전계효과 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015080241
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 다층의 감광막을 이용한 리소그라피 공정, 절연막 건식 식각공정에서의 감광막과 절연막 사이의 건식 식각선택비를 이용하여 서로 다른 문턱전압을 가지는 각기 다른 트랜지스터를 한 기판 상에 동시에 제조함으로써, 모드 또는 문턱전압이 서로 다른 트랜지스터를 동일 기판 상에 제조하는데 있어 별도의 리소그라피 공정과 그에 따른 추가적인 공정 단계를 감소시켜 제조 공정 비용을 감소시키고 소자의 안정성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. 전계효과 트랜지스터, 문턱전압, 게이트 리세스, 티형 게이트, 도즈, 노광
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020040100421 (2004.12.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0606290-0000 (2006.07.21)
공개번호/일자 10-2006-0061627 (2006.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20060731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안호균 대한민국 대전 유성구
2 임종원 대한민국 대전 유성구
3 지홍구 대한민국 대전 유성구
4 장우진 대한민국 대전 서구
5 문재경 대한민국 대전 유성구
6 김해천 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0568281-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0204274-78
3 의견서
Written Opinion		 2006.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0403240-47
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0403096-68
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0413293-82
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상부의 소스-드레인 영역에 오믹금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 결과물의 전체 상부에 절연막 및 다층의 감광막을 형성한 후, 상기 오믹금속층 이외의 일측 게이트 영역에 상기 절연막이 노출되도록 함과 동시에 상기 오믹금속층 이외의 타측 게이트 영역에 최하층의 감광막이 노출되도록 하여 서로 다른 형태의 감광막 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 일측 및 타측 게이트 영역의 감광막 패턴을 식각마스크로 이용하여, 상기 일측 게이트 영역에 노출된 절연막 및 상기 타측 게이트 영역에 노출된 최하층의 감광막이 동시에 식각되도록 하여, 상기 일측 게이트 영역에 상기 기판 및 상기 타측 게이트 영역에 상기 절연막을 노출시키는 단계;(d) 상기 단계(c)를 통해 노출된 상기 일측 게이트 영역의 기판에 1차 리세스 공정을 수행하여 상기 노출된 기판의 소정 두께를 식각한 후, 상기 단계(c)를 통해 노출된 상기 타측 게이트 영역의 절연막을 식각하여 상기 타측 게이트 영역에 상기 기판을 노출시키는 단계;(e) 2차 리세스 공정을 수행하여 상기 일측 및 타측 게이트 영역에서 각각 상기 기판상에 서로 다른 식각 깊이를 갖는 게이트 리세스 영역들을 형성하는 단계; 및(f) 상기 게이트 리세스 영역 상부에 소정의 게이트 금속을 증착한 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 전계효과 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 상기 기판과 상기 오믹금속층 사이에 소정 두께의 활성층 및 캡층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 상기 오믹금속층은 상기 소스-드레인 영역을 감광막 패턴으로 정의한 후 소정의 오믹금속을 증착하고, 급속 열처리(RTA)를 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서 상기 절연막의 두께는 상기 감광막의 식각률과 게이트의 다리 높이에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서 상기 다층의 감광막은 최하층에서 최상층까지의 구조가 코폴리머(Co-polymer)/폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)/코폴리머(Co-polymer)/폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 코폴리머(Co-polymer)/ZEP/PMGI/ZEP로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)는,(b-1) 상기 다층의 감광막을 적정 도즈로 노광 및 현상하여 서로 다른 게이트 영역에 티형 게이트의 머리 영역을 정의하는 단계; 및(b-2) 상기 서로 다른 게이트 영역에 서로 다른 도즈로 노광 및 현상하여 상기 일측 게이트 영역에 상기 절연막이 노출되도록 하고 상기 타측 게이트 영역에 상기 최하층의 감광막이 노출되도록 게이트의 다리 영역을 정의하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서 , 상기 단계(b-2)에서 상기 티형 게이트의 다리 영역을 정의할 때, 상기 일측 게이트 영역의 감광막 패턴은 상대적으로 높은 도즈로 노광하여 최하층의 감광막 현상 시 패턴이 정의되도록 하여 감광막 패턴으로 상기 절연막이 노출되도록 하고, 상기 타측 게이트 영역의 감광막 패턴은 상대적으로 낮은 도즈로 노광하여 현상 시 최하층의 감광막이 패턴이 정의되지 않도록 하여 감광막 패턴으로 최하층의 감광막이 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서 상기 감광막 패턴은 서로 다른 도즈로 노광되어 최하층 감광막의 패턴 형성 여부에 따라 서로 다른 감광막 패턴들을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 절연막은 일부를 건식 식각 공정을 이용하여 식각한 후 나머지를 BOE 용액으로 등방성의 습식 식각 공정을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 식각(RIE), 자력으로 증가된 반응성 이온 식각(MERIE) 또는 유도결합 플라즈마(ICP) 중 어느 하나의 장비에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 건식 식각 공정에서 CF4 가스, CF4와 CHF3의 혼합가스 및 CF4와 O2의 혼합가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 단계(f)에서 상기 감광막 패턴은 리프트 오프 공정을 통하여 제거되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
13 12
제 1 항에 있어서, 상기 단계(f)에서 상기 감광막 패턴은 리프트 오프 공정을 통하여 제거되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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