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반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 리지 형태로 적층되는 n형 반도체 도핑층, 활성층 및 p형 반도체 도핑층; 상기 n형 및 p형 반도체 도핑층 상에 각각 형성되는 n형 및 p형 전극; 및 상기 n형 및 p형 전극 사이에 형성되며, 상기 n형 및 p형 반도체 도핑층 중 어느 하나로 이루어지는 임피던스 매칭용 저항 성분을 포함하는 반도체 광변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 n형 및 p형 전극은 그라운드-시그널-그라운드의 코플래너 형태의 전극을 형성하는 반도체 광변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층 영역은 InGaAsP 물질계의 다중층으로 이루어지는 반도체 광변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 임피던스 정합용 저항 성분은 길이 10~100㎛, 너비 10~100㎛ 및 두께 0
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제 1 항에 있어서, 상기 임피던스 정합용 저항 성분의 저항값은 10~100Ω인 반도체 광변조기
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 도파로형 반도체 광변조기 구조를 이용하여 제작되는 광 소자
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반도체 기판 상에 제 1 반도체 도핑층, 활성층, 제 2 반도체 도핑층 및 제 1 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막을 패터닝하여 제 1 반도체 도핑층에 도달하는 리지 형태의 도파로 구조를 형성하는 단계; 제 2 절연막을 증착하고 패터닝한 후 제 1 전극 형성을 위한 영역 및 임피던스 정합용 저항 성분 형성을 위한 영역이 남기고 상기 반도체 기판이 노출되도록 식각하는 단계; 상기 절연막을 제거하고 상기 도파로 구조 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 도핑층에 각각 접속되는 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 반도체 광변조기 제작 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극을 형성하는 단계는 상기 제 1 및 제 2 전극을 그라운드-시그널-그라운드의 코플래너 형태의 전극으로 형성하는 단계를 포함하는 반도체 광변조기 제작 방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 도핑층 각각은 n형 및 p형 또는 p형 및 n형 반도체 도핑층인 반도체 광변조기 제작 방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반도체 도핑층 각각은 n형 및 p형 또는 p형 및 n형 반도체 도핑층인 반도체 광변조기 제작 방법
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