| 1 |
1
외부로부터 제공되는 열 에너지에 의해 나노 입자가 생성되는 광산란층, 상기 광산란층을 보호하는 보호층, 상기 광산란층과 상기 보호층 사이에 형성된 캡핑층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 열 에너지를 제공하기 위해 레이저가 사용되는 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 광산란층은 질화물-산화물((MN)1-xOx)(M=Si, Ta, W, Zn, Be, Li, Al)로 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층은 Si, Ta, W, Zn, Be, Li, Al 중 어느 하나가 도핑된 M1-y(Zn1-xOx)y, M1-y(Al1-xOx)y 또는 M1-y(Ga1-xNx)y로 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 산화물 또는 질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 산화물은 Zn1-xOx 또는 Al1-xOx이며, 상기 질화물은 SiN 또는 Ga1-xNx인 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물
|
| 7 |
7
a) 기판 상에 산화물 또는 질화물을 증착하여 제 1 보호층을 형성하는 단계, b) 상기 제 1 보호층 상에 Si, Ta, W, Zn, Be, Li, Al 중 어느 하나가 도핑된 물질을 증착하여 제 1 캡핑층을 형성하는 단계, c) 상기 제 1 캡핑층 상에 질화물-산화물을 증착하여 광산란층을 형성하는 단계, d) 상기 광산란층 상에 Si, Ta, W, Zn, Be, Li, Al 중 어느 하나가 도핑된 물질을 증착하여 제 2 캡핑층을 형성하는 단계, e) 나노 입자의 생성이 가능해지도록 하기 위해 열처리하는 단계, f) 상기 제 2 캡핑층 상에 산화물 또는 질화물을 증착하여 제 2 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 보호층을 형성하기 위한 상기 산화물은 Zn1-xOx 또는 Al1-xOx이며, 상기 질화물은 SiN 또는 Ga1-xNx인 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서, 상기 Si, Ta, W, Zn, Be, Li, Al 중 어느 하나가 도핑된 물질은 M1-y((SiNO)x)y, M1-y(Zn1-xOx)y, M1-y(Al1-xOx)y 또는 M1-y(Ga1-xNx)y인 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서, 상기 질화물-산화물은 (MN)1-xOx (M=Si, Ta, W, Zn, Be, Li, Al)인 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 7 항에 있어서, 상기 열처리는 200~850℃의 온도 및 질소와 산소 및 아르곤 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 7 항에 있어서, 상기 단계 a) 내지 단계 f)의 공정을 인-시투로 진행하는 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
| 13 |
12
제 7 항에 있어서, 상기 단계 a) 내지 단계 f)의 공정을 인-시투로 진행하는 것을 특징으로 하는 광소자용 구조물의 제조 방법
|
