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기판,상기 기판 상에 형성된 하부 클래드,상기 하부 클래드 상에 형성된 코어,상기 코어를 둘러싸는 절연층,상기 절연층을 포함하는 상기 하부 클래드 상에 형성된 상부 클래드를 포함하며,상기 절연층은 상기 코어와 상기 하부 및 상부 클래드보다 낮은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로
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제 1 항에 있어서, 상기 코어와 상기 하부 클래드 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로
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제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 비정질 실리콘 산화물 또는 비정질 실리카 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로
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기판 상에 하부 클래드 및 제 1 절연층을 형성하는 단계,상기 제 1 절연층 상에 코어층을 형성한 후 상기 코어층 및 상기 제 1 절연층을 패터닝하는 단계,전체 상부면에 제 2 절연층을 형성한 후 상기 제 2 절연층 상에 상부 클래드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 절연층은 상기 코어와 상기 하부 및 상부 클래드보다 굴절률이 낮은 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 하부 클래드는 화염가수분해증착(FHD)법 또는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하며, 15~20㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 절연층은 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하며, 0
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9
제 5 항에 있어서, 상기 굴절률이 낮은 물질은 비정질 실리콘 산화물 또는 비정질 실리카 유리인 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
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10
제 5 항에 있어서, 상기 코어층은 화염가수분해증착(FHD)법 또는 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하며, 4~10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
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11
제 5 항에 있어서, 상기 상부 클래드는 화염가수분해증착(FHD)법 또는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
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12
제 5 항에 있어서, 상기 상부 클래드를 형성한 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 상부 클래드를 형성한 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
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