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평면형 광도파로 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015080547
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광통신 분야에 사용되는 평면형 광부품 및 광모듈에 적용되는 평면형 광도파로 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 하부 클래드, 상기 하부 클래드 상에 형성된 코어, 상기 코어를 둘러싸는 절연층, 상기 절연층을 포함하는 상기 하부 클래드 상에 형성된 상부 클래드를 포함한다. 코어와 클래드 사이에 굴절률이 낮은 절연층을 형성함으로써 코어와 클래드 사이의 굴절률 차이가 증가되어 광이 코어로 더욱 밀도있게 집속되므로 강한 에너지를 갖는 단일모드가 형성되어 도파손실이 최소화된다. 평면형 광도파로, 절연층, 실리콘 산화물, 도파손실
Int. CL G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/12004(2013.01) G02B 6/12004(2013.01) G02B 6/12004(2013.01) G02B 6/12004(2013.01) G02B 6/12004(2013.01) G02B 6/12004(2013.01)
출원번호/일자 1020040103699 (2004.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0679229-0000 (2007.01.30)
공개번호/일자 10-2006-0064996 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20070205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태홍 대한민국 대전 유성구
2 유종준 대한민국 대전 서구
3 성희경 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580947-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2006-0047039-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0406566-87
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0666243-29
6 의견서
Written Opinion
2006.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0666246-66
7 등록결정서
Decision to grant
2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0043255-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 상에 형성된 하부 클래드,상기 하부 클래드 상에 형성된 코어,상기 코어를 둘러싸는 절연층,상기 절연층을 포함하는 상기 하부 클래드 상에 형성된 상부 클래드를 포함하며,상기 절연층은 상기 코어와 상기 하부 및 상부 클래드보다 낮은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 코어와 상기 하부 클래드 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 비정질 실리콘 산화물 또는 비정질 실리카 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로
5 5
기판 상에 하부 클래드 및 제 1 절연층을 형성하는 단계,상기 제 1 절연층 상에 코어층을 형성한 후 상기 코어층 및 상기 제 1 절연층을 패터닝하는 단계,전체 상부면에 제 2 절연층을 형성한 후 상기 제 2 절연층 상에 상부 클래드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 절연층은 상기 코어와 상기 하부 및 상부 클래드보다 굴절률이 낮은 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 광도파로의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 하부 클래드는 화염가수분해증착(FHD)법 또는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하며, 15~20㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 절연층은 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하며, 0
8 8
삭제
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 굴절률이 낮은 물질은 비정질 실리콘 산화물 또는 비정질 실리카 유리인 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 코어층은 화염가수분해증착(FHD)법 또는 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하며, 4~10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
11 11
제 5 항에 있어서, 상기 상부 클래드는 화염가수분해증착(FHD)법 또는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
12 12
제 5 항에 있어서, 상기 상부 클래드를 형성한 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
13 12
제 5 항에 있어서, 상기 상부 클래드를 형성한 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 도파로의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US07289712 US 미국 FAMILY
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1 US2006127022 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7289712 US 미국 DOCDBFAMILY
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