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양단에 광모드크기 변환기가 부착되고, -4 dBm 미만의 낮은 세기의 입력신호광에 대해서도 파장변환이 될 수 있도록, 레이저로서 발진 문턱값이 높은 레이저를 채용한 이득고정형 반도체 광증폭기(gain-clamped semiconductor optical amplifier)의 이득고정용 발진파장을 출력광의 파장으로 사용하는 것을 특징으로 하는 직접광변조형 파장변환기
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제1항에 있어서, 변환되어 출력되는 파장을 바꿀 수 있도록, 상기 이득고정형 반도체 광증폭기는 이득고정용 발진파장을 가변시킬 수 있는 이득고정형 반도체 광증폭기를 사용하는 것을 특징으로 하는 직접광변조형 파장변환기
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제1항에 있어서, 상기 레이저는 패브리-페롯(Fabri-Perot) 공진기를 적용한 레이저 또는 DBR(distributed Bragg reflector) 레이저를 사용하고, 상기 레이저의 발진 문턱값을 높이기 위하여, 상기 입력신호광이 입력되는 반대편에 상기 레이저의 손실을 주는 손실부분을 포함시킨 것을 특징으로 하는 직접광변조형 파장변환기
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제1항에 있어서, 상기 레이저는 패브리-페롯(Fabri-Perot) 공진기를 적용한 레이저 또는 DBR(distributed Bragg reflector) 레이저를 사용하고, 상기 레이저의 발진 문턱값을 높이기 위하여, 상기 레이저의 반사율을 떨어뜨리는 것을 특징으로 하는 직접광변조형 파장변환기
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제1항에 있어서, 상기 레이저는 DFB(distributed feedback) 레이저를 사용하고, 상기 레이저의 발진 문턱값을 높이기 위하여, 사용된 격자(grating)의 결합세기를 작게 한 것을 특징으로 하는 직접광변조형 파장변환기
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제2항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 변환되어 출력되는 파장을 바꿀 수 있도록, 상기 레이저는 발진파장을 조절할 수 있는 파장가변 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 직접광변조형 파장변환기
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