| 요약 |
본 발명은 화합물반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반절연 기판 상에 화합물반도체 바이폴라 트랜지스터용 에미터캡층, 에미터층, 베이스층, 컬렉터층, 부컬렉터층을 형성하는 단계와, 기판 상에 감광막을 식각마스크로 사용하여 에미터캡층, 베이스층, 부컬렉터층을 노출시키고 소자를 분리시키는 단계와, 노출된 에피층 상에 리프트오프 방법을 사용하여 에미터캡층 위에 에미터전극, 베이스층 위에 베이스전극, 부컬렉터층 위에 컬렉터전극, 또 다른 부컬렉터층 위에 캐패시터 하부전극을 형성하는 단계와, 에미터전극, 베이스전극, 컬렉터전극 및 캐패시터 하부전극이 형성된 구조 위에 절연막을 형성하는 단계, 및 절연막 위에 베이스 안정화 저항을 형성한 후 에미터전극, 베이스전극, 컬렉터전극을 연결하며 저항과 베이스전극을 연결하는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 화합물반도체 바이폴라 트랜지스터 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제작된 화합물반도체 바이폴라 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에 의하면, 제조공정이 단순화되며 전체 회로에서 차지하는 면적이 감소되고 소자의 안정성이 향상될 수 있다.바이폴라 트랜지스터, 안정화 저항, 화합물반도체, 캐패시터, 절연막
|
