| 1 |
1
반절연 화합물 반도체 기판;상기 반절연 화합물 반도체 기판상에 형성된 다층의 화합물 반도체 층;상기 화합물 반도체층의 선택된 영역에 일정 규칙을 가지고 배열되는 다수의 p-n 접합 다이오드; 및상기 다수의 p-n 접합 다이오드를 개별적으로 분리하도록 상기 다층의 화합물 반도체층내에 형성되는 불순물 영역 형태의 소자 분리 영역을 포함하며,상기 소자 분리 영역과 상기 화합물 반도체층의 표면은 동일 평면에 위치하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 소자 분리 영역은 Fe 불순물 영역인 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 소자 분리 영역의 행축은 상기 반절연 화합물 기판의 내부에 위치하고 열축은 반절연 화합물 기판위에 형성된 전도성 반도체 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판은 반절연 InP 기판인 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서, 상기 다층의 화합물 반도체층은 n+-InP층, i-InGaAs층, n-InGaAsP층, n-InP층 및 p+-InGaAsP층이 순차적으로 적층된 구조물인 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 p-n 접합 다이오드는 상기 n-InP층 및 p+-InGaAsP층의 소정 부분에 형성된 p+ 확산 영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판 결과물의 가장자리 부분에, 상기 화합물 반도체 기판상에 상기 n+-InP층의 일부 두께만이 존재하고,상기 결과물 가장자리의 상기 n+-InP층상에 n형 전극이 더 형성되고,상기 p+ 확산 영역의 가장자리에 p형 전극이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 p형 전극간을 연결하도록 금속 배선이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 광 검출기
|
| 9 |
9
화합물 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 화합물 반도체 기판 상에 다층의 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 다층의 화합물 반도체층의 소정 부분에 다수의 p-n 접합 다이오드를 형성하는 단계; 및상기 각각의 p-n 접합 다이오드를 둘러싸도록 불순물을 주입하여 소자 분리 영역을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출기 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판은 반절연 InP 기판인 것을 특징으로 하는 광검출기 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 다층의 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 화합물 반도체 기판 상부에 n+-InP층을 형성하는 단계;상기 n+-InP층 상부에 i-InGaAs층을 형성하는 단계;상기 i-InGaAs층 상부에 n-InGaAsP층을 형성하는 단계;상기 n-InGaAsP층 상에 n-InP층을 형성하는 단계; 및 상기 n-InP층 상부에 p+-InGaAsP층을 형성하는 단계를 포함하는 광검출기 제조방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 상기 p-n 접합 다이오드를 형성하는 단계는,상기 p+-InGaAsP층의 소정 영역이 노출되도록 p+-InGaAsP층 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 노출된 영역에 p형 불순물을 확산시켜, 상기 n+-InP층 및 p+-InGaAsP층 내에 p+형 확산 영역을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 광 검출기 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서, 상기 p형 불순물은 Zn 인 것을 특징으로 하는 광 검출기 제조방법
|
| 14 |
14
제 11 항에 있어서, 상기 소자 분리영역을 형성하는 단계 이후에, 상기 화합물 반도체 기판 가장자리의 n+-InP층이 노출되도록 p+-InGaAsP층, n-InP층, n-InGaAsP층, i-InGaAs층을 식각하는 단계; 상기 노출된 n+-InP층의 선택된 영역에 n형 전극을 형성하는 단계; 상기 p+형 확산 영역의 가장자리에 p형 전극을 형성하는 단계; 및상기 p형 전극간이 연결되도록 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출기 제조방법
|
| 15 |
15
제 9 항에 있어서, 상기 소자 분리 영역을 형성하는 단계는, 상기 p-n 접합 다이오드의 외곽에 불순물을 이온 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기 제조방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서, 상기 소자 분리 영역을 형성하는 단계는,상기 행방향으로 배열된 p-n 접합 다이오드들이 차폐되도록 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 노출된 화합물 반도체층에 Fe 불순물을 주입하는 단계;상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 열방향으로 배열된 p-n 접합 다이오드들이 차폐되도록 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 노출된 화합물 반도체층에 Fe 불순물을 주입하는 단계; 및상기 이온 주입된 Fe 불순물을 활성화시키는 단계를 포함하는 광 검출기 제조 방법
|
