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고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를포함하는 광소자와 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015081205
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 고출력/광대역 광소자용 유무기 나노 복합 박막 및 이를 포함하는 광소자와, 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명 따른 유무기 나노 복합 박막은 고분자층과, 상기 고분자층 위에 자기조립되어 있는 유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 적층 구조, 또는 제1 홀을 가지는 제1 고분자층 패턴과 상기 제1 홀 내에 충진되어 있는 유기 리간드로 배위된 제1 반도체 양자점층 패턴을 포함하는 제1 복합 박막으로 이루어진다. 본 발명의 유무기 나노 복합 박막은 반도체 양자점 용액과 고분자 용액을 교대로 스핀 코팅하여 1 층씩 교대로 적층된 복수층으로 이루어지는 유기물 다층 박막으로 구성될 수 있다. 고밀도, 광대역의 반도체 양자점층과 고분자층이 물리적으로 결합된 하이브리드 광소자용 나노 복합 박막을 제공함으로써 고출력, 광대역, 고휘도, 고감도의 광소자를 구현할 수 있으며 유연성 있는 광소자를 제조할 수 있다. 반도체 양자점, 유기 리간드, 자기정렬, 스핀코팅, 광소자
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 51/50 (2011.01)
CPC H01L 31/0352(2013.01) H01L 31/0352(2013.01) H01L 31/0352(2013.01) H01L 31/0352(2013.01) H01L 31/0352(2013.01) H01L 31/0352(2013.01)
출원번호/일자 1020050102484 (2005.10.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0734842-0000 (2007.06.27)
공개번호/일자 10-2007-0045794 (2007.05.02) 문서열기
공고번호/일자 (20070703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.28)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 대전 유성구
2 주정진 대한민국 대전 서구
3 김민수 대한민국 대전 유성구
4 박승구 대한민국 대전 서구
5 정운진 대한민국 서울 강남구
6 서홍석 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0619781-45
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2005.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-5131091-87
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0073115-05
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0674668-09
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0029165-82
7 의견서
Written Opinion		 2007.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0029258-29
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0301987-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자층과, 상기 고분자층 위에 자기조립되어 있는 유기 리간드가 배위된 반도체 양자점층을 포함하는 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자층 및 상기 반도체 양자점층은 각각 극성 및 비극성 중에서 선택되는 특성 중 서로 다른 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
3 3
제1항에 있어서,상기 적층 구조는 복수의 상기 고분자층과 복수의 상기 반도체 양자점층이 1층씩 교대로 순차적으로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
4 4
제3항에 있어서, 상기 복수의 반도체 양자점층은 각각 서로 동일한 반도체 양자점 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
5 5
제3항에 있어서, 상기 복수의 반도체 양자점층은 각각 서로 다른 반도체 양자점 크기를 가지는 적어도 2개의 반도체 양자점층을 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
6 6
제1 홀을 가지는 제1 고분자층 패턴과 상기 제1 홀 내에 충진되어 있는 유기 리간드로 배위된 제1 반도체 양자점층 패턴을 포함하는 제1 복합 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 고분자층 패턴 및 상기 제1 반도체 양자점층 패턴은 동일 평면상에 동일 레벨로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
8 8
제6항에 있어서, 상기 제1 고분자층 패턴 및 상기 제1 반도체 양자점층 패턴을 동시에 덮도록 상기 제1 복합 박막 위에 형성되어 있는 제1 고분자 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 고분자 박막 위에서 상기 제1 복합 박막의 반대측에 형성되고, 제2 홀을 가지는 제2 고분자층 패턴과 상기 제2 홀 내에 충진되어 있는 유기 리간드로 배위된 제2 반도체 양자점층 패턴을 포함하는 제2 복합 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 반도체 양자점층 패턴 및 제2 반도체 양자점층 패턴은 각각 서로 동일한 반도체 양자점 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
11 11
제9항에 있어서, 상기 제1 반도체 양자점층 패턴 및 제2 반도체 양자점층 패턴은 각각 서로 다른 반도체 양자점 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막
12 12
제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에서 순차적으로 적층되어 있는 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층을 포함하고, 상기 발광층은 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 상기 유무기 나노 복합 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
13 13
제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에서 순차적으로 적층되어 있는 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층을 포함하고, 상기 발광층은 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 상기 유무기 나노 복합 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
14 14
기판상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 위에 유기 리간드를 배위한 반도체 양자점 용액을 스핀코팅하여 상기 고분자층 위에 자기조립된 반도체 양자점층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 고분자층 형성 단계 및 상기 반도체 양자점층 형성 단계를 복수회 반복하여 행하여 복수의 상기 고분자층과 복수의 상기 반도체 양자점층이 1층씩 교대로 순차적으로 적층되어 이루어진 적층 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 복수의 반도체 양자점층은 각각 서로 동일한 반도체 양자점 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 복수의 반도체 양자점층은 각각 서로 다른 반도체 양자점 크기를 가지는 적어도 2개의 반도체 양자점층을 가지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
18 18
제14항에 있어서, 상기 고분자층으로부터 상기 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
19 19
제14항에 있어서, 상기 기판은 용융 실리카, 글라스 또는 플라스틱으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
20 20
기판상에 제1 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 제1 고분자층을 패터닝하여 소정 형상의 제1 홀이 형성된 제1 고분자층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 고분자층 패턴 위에 유기 리간드를 배위한 반도체 양자점 용액을 스핀코팅하여 상기 제1 홀 내에 제1 반도체 양자점층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 제1 고분자층 패턴 및 상기 제1 반도체 양자점층 패턴을 동시에 덮는 제1 고분자 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 제1 고분자 박막 위에서 제2 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 제2 고분자층을 패터닝하여 소정 형상의 제2 홀이 형성된 제2 고분자층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 고분자층 패턴 위에 유기 리간드를 배위한 반도체 양자점 용액을 스핀코팅하여 상기 제2 홀 내에 제2 반도체 양자점층 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 제1 반도체 양자점층 패턴 및 제2 반도체 양자점층 패턴은 각각 서로 동일한 반도체 양자점 크기를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
24 24
제22항에 있어서, 상기 제1 반도체 양자점층 패턴 및 제2 반도체 양자점층 패턴은 각각 서로 다른 반도체 양자점 크기를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자용 유무기 나노 복합 박막의 제조 방법
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