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빛을 발산하는 발광층, 상기 발광층의 하부에 형성된 정공 주입층, 상기 정공 주입층과 대향되도록 상기 발광층의 상부에 형성된 전자 주입층, 상기 전자 주입층의 상부에 형성되고, 금속 나노 점(nano dot)을 포함하는 금속층, 및상기 금속층의 상부에 형성된 투명 전도성 전극을 포함하는 반도체 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 발광층은 실리콘 나노 점(silicon nano dot)을 포함하는 비정질 실리콘 나이트라이드(SiN)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전자 주입층은 n형의 실리콘 카바이드계 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드계 물질은 SiC, 또는 SiCN인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co), 인듐(In), 구리(Cu), 백금(Pt), 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속 나노 점을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도성 전극은 ITO(Indium tin oxide), SnO2, In2O3, Cd2SnO4, 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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빛을 발산하는 발광층의 상부에 전자 주입층을 형성하는 단계, 상기 전자 주입층의 상부에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층의 상부에 투명 전도성 전극을 형성하는 단계, 및 상기 금속층을 열처리하여 금속 나노 점을 포함하는 금속층으로 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 전자 주입층과 대향되도록 상기 발광층의 하부에 정공 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 발광층으로 실리콘 나노 점(silicon nano dot)을 포함하는 비정질 실리콘 나이트라이드(SiN)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 발광층의 상부에 상기 전자 주입층을 형성함은 상기 발광층의 상부에 n형의 실리콘 카바이드계 물질을 증착하는 것임을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 전자 주입층의 상부에 상기 금속층을 형성함은 상기 전자 주입층에 금(Au), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co), 인듐(In), 구리(Cu), 백금(Pt), 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 금속을 증착하는 것임을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 7 항 내지 제 11 항의 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는 상온 내지 1000℃의 온도 범위에서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 열처리는 10초 내지 1시간 동안 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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