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쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법

기술번호 : KST2015081828
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 게이트 전극의 양측벽에 형성된 스페이서의 손상으로 인해 발생되는 게이트 누설전류 특성을 원천적으로 방지할 수 있는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터(Schottky Barrier Tunnel Transistor) 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 지지기판에 의해 지지되는 매립 산화층 상에 실리콘 패턴과 희생 패턴을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 패턴의 양측벽과 각각 접촉되도록 상기 실리콘 패턴의 양측으로 노출되는 상기 매립 산화층 상에 금속막으로 이루어진 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 희생 패턴을 제거하여 상기 실리콘 패턴 상부를 노출시키는 단계와, 노출된 상기 실리콘 패턴 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법을 제공한다.쇼트키 장벽 관통 트랜지스터, 쇼트키 접합, 금속 실리사이드, 소오스, 드레인, 스페이서
Int. CL	H01L 29/812 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020060120565 (2006.12.01)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0770013-0000 (2007.10.18)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20071025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.12.01)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김약연	대한민국	대전 중구
2	이성재	대한민국	대전 유성구
3	장문규	대한민국	대전 유성구
4	김태엽	대한민국	서울 은평구
5	최철종	대한민국	대전 유성구
6	전명심	대한민국	대전 유성구
7	박병철	대한민국	대전 동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신성특허법인(유한)	대한민국	서울특별시 송파구 중대로 *, ID타워 *호 (가락동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	대한민국(산업통상자원부장관)		세종특별자치시 한누리대

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2006-0894236-46
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.07.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.08.14	수리 (Accepted)	9-1-2007-0049467-87
4	등록결정서 Decision to grant	2007.09.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0524582-87
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 지지기판에 의해 지지되는 매립 산화층 상에 실리콘 패턴과 희생 패턴을 형성하는 단계;상기 실리콘 패턴의 양측벽과 각각 접촉되도록 상기 실리콘 패턴의 양측으로 노출되는 상기 매립 산화층 상에 금속막으로 이루어진 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;상기 희생 패턴을 제거하여 상기 실리콘 패턴 상부를 노출시키는 단계; 및노출된 상기 실리콘 패턴 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계 후 상기 게이트 전극의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계는, 상기 소오스 및 드레인 영역이 형성될 영역과 대응되는 부위에 개구부를 갖는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 개구부가 매립되도록 상기 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
4	4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속막은 전이금속 또는 희토류 금속으로 이루어진 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계 후, 상기 소오스 및 드레인 영역 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 보호막은 탄탈륨으로 형성하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
7	7 제 1 항, 제 5 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희생 패턴은 텅스텐으로 형성하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 희생 패턴을 제거하는 단계는 과산화 수소를 이용하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 과산화 수소는 50~200℃의 온도로 가열된 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계 전, 상기 매립 산화층 상에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 접착층은 크롬 또는 탄탈륨으로 형성하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
12	12 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계 후, 상기 소오스 및 드레인 영역의 금속막과 상기 실리콘 패턴의 실리콘을 반응시켜 경계지역에 금속 실리사이드를 형성하기 위해 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
13	13 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 희생 패턴을 제거하여 상기 실리콘 패턴 상부를 노출시키는 단계 후, 상기 소오스 및 드레인 영역의 금속막과 상기 실리콘 패턴의 실리콘을 반응시켜 경계지역에 금속 실리사이드를 형성하기 위해 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법
14	14 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계 후, 상기 소오스 및 드레인 영역의 금속막과 상기 실리콘 패턴의 실리콘을 반응시켜 경계지역에 금속 실리사이드를 형성하기 위해 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US07745316	US	미국	FAMILY
2	US20080132049	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2008132049	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US7745316	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0770013-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20061201 출원 번호 : 1020060120565 공고 연월일 : 20071025 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070928 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 29/812 발명의 명칭 : 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...
2	(권리자) 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대...
2	(의무자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	418,500 원	2007년 10월 19일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2010년 10월 01일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2011년 10월 07일	납입
제 6 - 20 년분	금 액	0 원	2012년 09월 19일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2006-0894236-46
2	선행기술조사의뢰서	2007.07.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.08.14	수리 (Accepted)	9-1-2007-0049467-87
4	등록결정서	2007.09.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0524582-87
5	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1440000704
세부과제번호	2005-S-122
연구과제명	정보통신용고기능반도체나노신소자기술
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2006
연구기간	200602~200701
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1440002153
세부과제번호	iita2004-S-201
연구과제명	고분자기반형디스플레이용능동표시및구동소자개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	전자부품연구원
성과제출연도	2004
연구기간	200112~200612
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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